晶片的主要技术参数：a、晶片的伏安特性图：b、顺向电压（vf）：施加在晶片两端，使晶片正向导通的电压。此电压与晶片本身和测试电流存在相应的关系。vf过大，会使晶片被击穿。c、顺向电流（if）：晶片在施加一定电压后，所产生的正向导通电流。if的大小，与顺向电压的大小有关。晶片的工作电流在10-20ma左右。d、逆向电压（vr）：施加在晶片上的反向电压。e、逆向电流（ir）：是指晶片在施加反向电压后，所产生的一个漏电流。此电流越小越好。因为电流大了容易造成晶片被反向击穿。f、亮度（iv）：指光源的明亮程度。g、单位换算：1cd=1000mcd、波长：反映晶片的发光颜色。不同波长的晶片其发光颜色也就不同。单位：nm。h、光：是电磁波的一种。波长在0.1mm-10nm之电磁波称为光。光可分为：波长大于0.1mm称为电波；760nm-0.1nm叫红外光;380nm-760nm叫可见光;10nm-380nm叫紫外光；波长小于10nm的是x线光。