qt2
晶体管图示仪使用方法介绍
labone
qt2
一、实验目的
熟练掌握晶体管特性图示仪的使用方法，学会用晶体管特性图示仪测量半导体
器件的静态参数。在不损坏器件的情况下，测量半导体器件的极限参数。
二、晶体管特性图示仪测量半导体器件的工作原理
1
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使用方法介绍
-5-
（
7
）
测试控制器
测试插孔
b[30]
、
a[31]
；测试选择开关
[32]
，其中零电压钮用来校正阶梯信号作电压源
输出时其起始级的零电压，该钮按入时被测管的栅极接地，零电流钮按入时被测管的基极开
路，
a
钮按入时
a
测试插孔接通，
b
钮同理，全部弹出时同时测试比较两个管子。
（
8
）
其它
1vp-p
校正信号输出插孔
[34]
；
0.5vvp-p
校正信号输出插孔
[35]
；
y
轴输入插孔
[36]
；
x
轴输入插孔
[37]
；电源插座
[38]
；
ct
测试端
[39]
；
ct
地
[40]
。
四
、实验仪器及测试器件
：
yb4801a
晶体管特性图示仪，硅
npn
三极管
9014
，
n
沟耗尽型场效应管
3dj7f
，硅
npn
三极管
2sc1815
，硅整流二极管
1n4007
，锗二极管（锗三极管
3ax22
代替），硅稳压
二极管
0.5w7.5v
和
1w12v
。
五、实验内容及步骤：
1
．测量硅
npn
三极管
9014
的共发射极输出特性（
ic
－
vce
）
峰值电压调为
0
，
按图插上三极管
9014
峰值电压范围：
0~20v
；
极性：
+
功耗电阻：
250
ω
x
轴
集电极电压
1v/
度
（
v
ce
）
y
轴
集电极电流
1ma/
度
（
i
c
）
阶梯信号：重复；
极性：
+
阶梯电流：
10
μ
a/
级
（
i
b
）
峰值电压调大至合适位置。
测试并画出
i
c
－
v
ce
特性曲线，
并分别标出放大区、截止区、饱和
区和击穿区。
e
b
c
vcc
vo
vi
e
b
c
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使用方法介绍
-6-
2
．测量硅
npn
三极管
9014
的共发射极直流电流增益
β
（
hfe
）
3
．测量硅
npn
三极管
9014
的共发射极输入特性（
i
b
－
v
be
）
峰值电压调为
0
，
按图插上三极管
9014
峰值电压范围：
0~20v
；
极性：
+
功耗电阻：
250
ω
x
轴
基极电流
（阶梯信号）
y
轴
集电极电流
1ma/
度
（
i
c
）
阶梯信号：重复；
极性：
+
阶梯电流：
10
μ
a/
级
（
i
b
）
峰值电压调大至合适位置。
测试并求出
β
值。
e
b
c
e
c
b
峰值电压调为
0
，
按图插上三极管
9014
峰值电压范围：
0~20v
；
极性：
+
功耗电阻：
250
ω
x
轴
集电极电压
0.1v/
度
（实际为
v
be
）
y
轴
集电极电流
2ma/
度
（实际为
i
b
）
阶梯信号：重复；
极性：
+
阶梯电压：
0.5v/
级
（
v
ce
）
峰值电压调大至合适位置。
测试并画出
i
b
－
v
be
特性曲线。
qt2
使用方法介绍
-7-
vi
vo
vcc
4
．测量硅
npn
三极管
9014
的共基极输出特性（
i
c
－
v
cb
）
5
．测量硅
npn
三极管
9014
的共基极直流电流增益
α
（
h
f
b
）
根据测量结果验证：
1
峰值电压调为
0
，
按图插上三极管
9014
峰值电压：
0~20v
，极性：
+
功耗电阻：
250
ω
x
轴
集电极电压
1v/
度
（实际为
v
cb
）
y
轴
集电极电流
1ma/
度
（
i
c
）
阶梯信号：重复；
极性：－
阶梯电流：
1ma/
级
（
i
e
）
峰值电压调大至合适位置。
测试并画出
i
c
－
v
cb
特性曲线。
峰值电压调为
0
，
按图插上三极管
9014
峰值电压范围：
0~20v
；
极性：
+
功耗电阻：
250
ω
x
轴
基极电流（阶梯信号）
y
轴
集电极电流
1ma/
度
（
i
c
）
阶梯信号：重复；
极性：－
阶梯电流：
1ma/
级
（
i
e
）
峰值电压调大至合适位置。
测试并求出
α
值。
c
e
b
c
e
b
qt2
使用方法介绍
-8-
6
．测量
n
沟耗尽型场效应管
3dj7f
的共源极输出特性（
i
d
－
v
ds
）
7
．测量硅
npn
三极管
2sc1815
双管输出特性（共发射极），进行比较
峰值电压调为
0
，
按图插上
n
沟耗尽型管
3dj7f
峰值电压范围：
0~20v
；
极性：
+
功耗电阻：
1k
ω
x
轴
集电极电压
1v/
度
（实际为
v
ds
）
y
轴
集电极电流
0.5ma/
度
（实际为
i
d
）
阶梯信号：重复；
极性：－
阶梯电压：
0.2v/
级
（
v
gs
）
峰值电压调大至合适位置。
测试并画出
i
d
-
v
ds
特性曲线。
峰值电压调为
0
，
按图插上两个三极管
2sc1815
峰值电压范围：
0~20v
；
极性：
+
功耗电阻：
50
ω
x
轴
集电极电压
1v/
度
y
轴
集电极电流
2ma/
度
阶梯信号：重复；
极性：
+
阶梯电流：
10
μ
a/
级
测试选择：双簇（
ab
同时按下）
峰值电压调大至合适位置。
测试并画出
i
c
－
v
ce
特性曲线，
根据特性曲线判断是否适合作对管。
s
b
g
e
c
d
g
d
s
e
b
c
c
b
e
b
c
e
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使用方法介绍
-9-
8
．测量硅整流二极管
1n4007
和锗二极管的正向特性，加以比较
9
．测量硅稳压二极管
0.5w7.5v
和
1w12v
的稳压特性
六、分析讨论
1
．晶体管特性图示仪属那类测试仪器
?
2
．为什么它能在不损坏器件的情况下，可测量极限参数，如击穿电压、饱和压降？