6月30日消息，据韩媒the elec报道，三星存储业务高管最近参加了电子工程师协会2023年夏季会议，并向与会者透露了关于三星v-nand技术的最新进展。据三星高管表示，他们计划在2030年前将v-nand技术叠加到超过1000层。
自2013年三星首次推出24层v-nand技术以来，经过十年的发展，三星已经成功将该技术拓展到200多层。这使得三星成为了韩国在创造技术和生态系统方面的一项重要成就，并延续了nand技术的历史。
三星高管表示，v-nand技术的竞争将持续到超过1000层，并指出了在实现这一目标时面临的挑战。他们将面临稳定性问题，就像建造摩天大楼一样需要考虑坍塌、弯曲和断裂等因素。此外，他们还需要解决连接孔加工工艺、电池干扰最小化、层高缩短以及每层存储容量扩大等问题。
据小编了解，三星存储业务高管在会议上强调了v-nand技术的重要性和潜力。他们表示，v-nand技术不仅延续了nand的发展历程，也成为了韩国国家创造技术和生态系统的成功典范之一。
三星存储业务一直致力于推动nand技术的发展，并通过不断创新和突破将v-nand技术推向新的高度。随着v-nand技术的进一步演进，未来我们可以期待存储容量的进一步提升和性能的提高，这将对各行业的发展和创新产生积极的影响。
以上就是三星预测2030年将推出1000层以上的nand技术的详细内容。