2018年nand flash行业的资本支出实现8年以来的大增幅，表明了存储器厂商对闪存市场的持续看好与积极投入，nand flash市场有望被全面打开。
近日，据ic insights的数据预测，2018年nand flash行业的资本支出(capex)将比预期产量增加40%以上，从2017年的220亿美元增至2018年的310亿美元，属于近8年来的大增幅。
其中，3d nand的市场需求，成为驱动nand闪存资本支出激增的主要因素之一。3d nand闪存技术采用堆叠的方式处理设备层关系，可以使得每颗芯片的储存容量增加，从而实现更大的结构和单元间隔，利于增加产品的耐用性、降低生产成本。因此深受nand闪存厂商的追捧，目前已成为nand闪存厂商的主攻方向。
首先，我们需要先理解一个概念：资本性支出(capex)。大量的capex通常预示着有新的项目即将开始，生产和销售上都会出现巨大增长。与运营投资相反，capex项目运行期间公司需要一直投钱，以此孕育未来的*收益。因此，2018年nand flash行业的资本支出实现8年以来的大增幅，表面了存储器厂商对闪存市场的持续看好与积极投入，nand flash市场有望被全面打开。
到底是哪些芯片厂商全面看好nand闪存，正大刀阔斧地加码3d nand闪存产能？
一方面，闪存大厂的3d nand堆叠大战正在如火如荼地进行中。今年6月下旬，美光公布了2018财年第三季度的结果，同时也公布未来的发展方向，预告在2018年下半年96层3d nand技术将会开始批量出货，可进一步增加每个芯片的储存容量，从而能够打造出更小，更节能的设备。两周后，三星也高调宣布已开始量产第五代3d nand闪存颗粒，层叠层数为96层，产能得到30%的提升。同时，根据消息人士透露，三星今年投资在nand flash闪存上的资本支出预计是64亿美元，2019年更是会提高到90亿美元。
美光、三星释放信号仅是个开端，sk海力士、intel、东芝、西数/闪迪等都表态在几年内将持续扩充闪存产能，为跨入96层、甚至更高层数而加大投入力度。可见，3d nand闪存已经成为存储器厂商间的“主战场”。
另一方面，以长江存储为代表的中国存储器厂商，也加快了项目进展的步伐。据公开资料显示，由长江存储主导的存储器基地已于2018年4月11日，正式进场安装生产设备。同时，专注于行动式内存的合肥长鑫，以及晋华集成的试产时间也调快至2018年下半年。可以说，2018年或将成为中国存储器的生产元年。
当然，的nand闪存资本支出大增，只能印证nand闪存行业投资景气的上升，今后存储器的市场表现如何，还需要时间来证明。毕竟在存储器市场的历史先例里，过多的资本支出通常会导致产能过剩和定价疲软，投资风险还是存在的。
因此，思考当前取得的竞争优势，当前的技术还有哪些用武之地，以及今后的发展方向，为下一次发展奠定基础。这对国产存储器厂商来说，仍然具有深远意义。
(原标题：nand闪存景气回升 capex将增40%至310亿美元)