hakuto 离子蚀刻机 7.5ibe 用于刻蚀硅微机械陀螺芯片
某芯片实验室为了解决芯片湿法刻蚀难以解决的横向腐蚀问题, 引进伯东hakuto离子蚀刻机7.5ibe用于刻蚀硅微机械陀螺芯片.
hakuto离子蚀刻机7.5ibe技术规格:
真空腔
1 set,主体不锈钢,水冷
基片尺寸
1 set, 4”/6”? stage,直接冷却,
离子源
? 8cm考夫曼离子源kdc75
离子束入射角
0 degree～± 90 degree
极限真空
≦1x10-4 pa
刻蚀性能
一致性: ≤±5% across 4”
该实验室采用的hakuto离子刻蚀机7.5ibe的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的kri考夫曼公司的考夫曼离子源kdc 75
伯东美国kri考夫曼离子源kdc75技术参数：
离子源型号
离子源kdc 75
discharge
dc热离子
离子束流
>250 ma
离子动能
100-1200 v
栅极直径
7.5 cm φ
离子束
聚焦,平行,散射
流量
2-15 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2,其他
典型压力
< 0.5m torr
长度
20.1 cm
直径
14 cm
中和器
灯丝
*可选:一个阴极灯丝;可调角度的支架
试验结果:
hakuto离子刻蚀机7.5ibe刻蚀出的芯片表面平整、光滑,解决了湿法刻蚀难以解决的横向腐蚀问题,并提高了刻蚀速率.