场效应管（field effect transistor，简称fet）是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子电路中。它的主要作用是控制电流的流动，实现信号放大、开关控制等功能。在电力电子、通信电子、计算机等领域中都有着重要的应用。
场效应管有多种不同的类型，其中比较常见的有mosfet（metal oxide semiconductor field effect transistor）和jfet（junction field effect transistor）两种。mosfet是目前最常见和使用最广泛的一种场效应管，其符号如下：
d
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g | |
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|_______|s
其中，d表示漏极（drain），g表示栅极（gate），s表示源极（source）。栅极是控制电流的输入端，它通过控制栅电压来调节电流的流动情况。源极和漏极则是电流的输出和输入端。
mosfet的工作原理是通过控制栅电压来改变沟道区的电阻，从而控制电流的流动。当栅电压为低电平时，沟道区的电阻较大，电流流动较小；当栅电压为高电平时，沟道区的电阻减小，电流流动增大。因此，mosfet可以实现对电流的精确控制。
mosfet主要有两个工作模式：增强型和耗尽型。增强型mosfet在没有栅电压时，沟道区没有导电，属于关断状态；而耗尽型mosfet在没有栅电压时，沟道区有一定的导电能力，属于导通状态。通过对栅电压的调节，可以在两种模式之间切换。
jfet是另一种常用的场效应管，它的符号如下：
d
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|_____
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g| |
| |s
其中，d表示漏极（drain），g表示栅极（gate），s表示源极（source）。jfet的工作原理是通过控制栅电压来改变通道区的电阻，进而控制电流的流动。与mosfet不同的是，jfet的栅极和沟道之间没有绝缘层，电流是通过电场控制的。jfet具有低噪声、高输入电阻和宽频带等特点，常用于放大电路和高频电路中。
除了上述两种常见的场效应管外，还有igbt（insulated gate bipolar transistor）等其他类型的场效应管，它是mosfet和双极晶体管的结合体，具有高输入电阻和低输出电阻等优点，被广泛应用于高压大电流的电力电子领域。
总结起来，场效应管是一种重要的半导体器件，其主要作用是控制电流的流动。常用的场效应管包括mosfet、jfet和igbt等，它们在电子电路中有着广泛的应用。mosfet通过控制栅电压来改变沟道区的电阻，实现对电流的精确控制；jfet则通过改变通道区的电阻来控制电流的流动；而igbt是mosfet和双极晶体管的结合体。不同类型的场效应管适用于不同的应用场景，科学合理地选择和使用场效应管，将为电子电路的设计和实现提供更多可能性。