光电探测器
光电探测器是用来探测光的装置，大部分情况下是探测光功率。由于实际应用的要求变化多样，因此存在很多种适合不同用途的光电探测器： 光电二*管是具有p-n结或者p-i-n结构的半导体器件（i代表本征层）（参阅pin型光电二*管），四光束光电探测器报价，其中光在耗尽层被吸收产生光电流。这一装置尺寸非常小，采用合适的电子装置情况下，该器件具有响应快，响应高线性以及很高的效率（即单个入射光子几乎可以产生一个电子），动态范围大的特点。其中非常灵敏的一类为雪崩光电二*管，有时甚至可以用于光子计数。 金属-半导体-金属光电探测器包含两个肖特基接触。它比光电二*管响应更快，带宽为几百ghz。 光电晶体管与光电二*管类似，来使利用了光电流的内放大。它没有光电二*管常用。 光敏电阻器是利用了一些特定的半导体材料，例如，（cds）。它的价格比光电二*管低，那时响应慢，并且不灵敏，具有强的非线性响应。 光电倍增管采用的是真空管。它同时具有很高的灵敏度（甚至可用于光子计数）和很高的响应速度。但是，它的价格很高，尺寸较大，并且需要很高的工作电压。 热释电探测器利用非线性晶体（例如，litao3）在吸收涂层处吸收光脉冲受热后产生的热释电压脉冲。它们通常用于测量调q激光器中产生的毫焦耳脉冲能量。 热学探测器（功率计）可以测量吸收光引起的温度升高。这种探测器非常坚固，可以测量非常高的激光功率，但是灵敏度较低，中等的线性响应，相对较小的动态范围。 目前关于碳纳米管和石墨烯的光电探测器还在研发阶段，四光束光电探测器多少钱，它有潜力可以提供很大的波长范围和很快的响应速度。将这一器件集成到光电芯片上的方法也在研究当中。
光电探测器的性能指标介绍
暗电流和噪声
光电流指在入射光照射下光电探测器所产生的光生电流，暗电流可以定义为没有光入射的情况下探测器存在的漏电流。其大小影响着光接收机的灵敏度大小，是探测器的主要指标之一。暗电流主要包括以下几种：
①耗尽区中边界的少子扩散电流;
②载流子的产生-复合电流，通过在加工中消除硅材料的晶格缺陷，四光束光电探测器品牌，可以有效减小载流子的产生-复合电流，通常对于高纯度的单晶硅产生-复合电流可以降低到2*1011a/nm2 以下;
③表面泄漏电流，在制造工艺结束时，对芯片表面进行钝化处理，可以将表面漏电流降低到 1011a/nm2量级。当然，暗电流也受探测器工作温度和偏置电压的影响。探测器的暗电流与噪声是分不开的，通常光电探测器的噪声主要分为暗电流噪声、散粒噪声和热噪声：a暗电流噪声：对于一个光电探测器来讲，可接收的较小光功率是由探测器的暗电流决定的，所以减小探测器的暗电流能提高光接收机的灵敏度;b散粒噪声：当探测器接收入射光时，散粒噪声就产生于光子的产生-复合过程中。由于光生载流子的数量变化规律服从泊松统计分部，所以光生载流子的产生过程存在散粒噪声;c热噪声：由于导体中电子的随机运动会产生导体两端电压的波动，因此就会产生热噪声。光电探测器的电路模型中包含的电阻为其热噪声的主要来源。
光电探测器相关信息
红外波段的光电导探测器 pbs、hg1-xcdxte 的常用响应波段在 1～3微米、3～5微米、8～14微米三个大气透过窗口。由于它们的禁带宽度很窄，因此在室温下，热激发足以使导带中有大量的自由载流子，这就大大降低了对辐射的灵敏度。响应波长越长的光，电导体这种情况越显著，其中1～3微米波段的探测器可以在室温工作（灵敏度略有下降）。3～5微米波段的探测器分三种情况：在室温下工作，四光束光电探测器，但灵敏度大大下降，探测度一般只有1～7×108厘米·瓦-1·赫；热电致冷温度下工作(约-60℃)，探测度约为109厘米·瓦-1·赫；77k或更低温度下工作，探测度可达1010厘米·瓦-1·赫以上。8～14微米波段的探测器必须在低温下工作，因此光电导体要保持在真空杜瓦瓶中，冷却方式有灌注液氮和用微型制冷器两种。
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