塘厦回收库存滤波器 贴片晶振收购公司
igbt(insulated gate bipolar transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点。gtr饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；mosfet驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。igbt综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
igbt模块是由igbt（绝缘栅双极型晶体管芯片）与fwd（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的igbt模块直接应用于变频器、ups不间断电源等设备上；
igbt模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的igbt也指igbt模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；
igbt是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“cpu”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
部分型号：
anta0hc12451wlan2
tmpc0603h-5r6mg-d
l6565
lp8557iayfqr
ixfx90n60x to-247
gt-14088
ipp075n15n3g pg-t0-220-3
cr0402ff14r0g
s1j-e3/61t
blm15pd300sn1d
dc03000l20q
75mhz-cfps-73ib
sm4331pskc-trg
as5510-dsom ams
rtl8231-gr
dw01a
hm3400
rk73h2attd3013f
0cscn015012n
enfpa9c5f26
tlv5625id
saffb1g56ac0f0a
aca-spi-006-t01
anta0dc09362wlan1
28k64b-900n5
c0f-01
ic-tda2003
cr0402ff29r4g
stm32f030f4p6
lm25085amme/nopb lm25085my/nopb
kq0805tte68ng
nc7sz125l6x
pf8bfmad20aa
000011t00
si51218-a1eagmr
sg-72640-xua
rc0603fr-0712kl
ds1721u+t&r
grm0335c1e4r7ca01d
sa00007og1s
dc02c00ft00
dc330021f1l
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