白话芯片漏电定位方法
芯片漏电是失效分析案例中常见的，找到漏电位置是查明失效原因的前提，液晶漏电定位、emmi(ccd\ingaas)、激光诱导等手段是工程人员经常采用的手段。多年来，在中国半导体产业有个误区，认为激光诱导手段就是obirch。今日小编为大家科普一下激光诱导(laser scan microscope).
目前激光诱导功能在业内普遍被采用的有三种方法，这三种方法分别被申请了专#li(日本obirch、美国tiva、新加坡vba)。国内大多数人认为只有obirch才是激光诱导，其实tiva和vba和obirch是同等的技术。三种技术都是利用激光扫描芯片表面的情况下，侦测出哪个位置的阻抗有较明显变化，这个位置就可能是漏电位置。侦测阻抗变化就是用电压和电流来反映，下面是三个技术原理：
1、obirch和tiva
如上图是一个器件的漏电回路，r1代表漏电点的阻抗，i1代表回路电流，v代表回路上的电压。
obirch；给器件回路加上一个电压v，然后让激光在芯片表面进行扫描，同时监测回路电流i1的变化.
tiva：给器件回路加上一个微小电流i1，然后让激光在芯片表面进行扫描，同时监测回路电压v的变化.
2、vba技术
如上图是一个器件的漏电回路，r1代表漏电点的阻抗，i1代表回路电流，v1代表回路上的电压，r2是串联在回路中的一个负载，v2是r2两端的电压。
vba：给器件回路加上一个电压v1，然后让激光在芯片表面进行扫描，同时监测v2的变化(v2/r2=i1，其实也是监测i1的变化)，这样大家可以看出来了，vba其实就是obirch，只是合理回避了nec专#li。