一、igbt的简单介绍
绝缘栅双极型晶体管（简称“igbt”）是由mosfet和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为mosfet,输出极为pnp晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有mosfet器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于mosfet与功率晶体管之间，可正常工作于几十khz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
若在igbt的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则mosfet导通，这样pnp晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若igbt的栅极和发射极之间电压为0v,则mos 截止，切断pnp晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。igbt与mosfet一样也是电压控制型器件，在它的栅极-发射极间施加十几v的直流电压，只有在ua级的漏电流流过，基本上不消耗功率。
二、igbt的可靠性要素
igbt的安全可靠与否主要由以下因素决定：
1.igbt栅极与发射极之间的电压；
2.igbt集电极与发射极之间的电压；
3.流过igbt集电极-发射极的电流；
4.gbt的结温。
如果igbt栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低，则igbt不能稳定正常地工作，如果过高超过栅极-发射极之间的耐压则igbt可能永久性损坏；同样，如果加在igbt集电极与发射极允许的电压超过集电极-发射极之间的耐压，流过igbt集电极-发射极的电流超过集电极-发射极允许的最大电流，igbt的结温超过其结温的允许值，igbt都可能会永久性损坏。
三、igbt的检测方法
1.判断极性
首先将万用表拨在r×1kω挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（g ）其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（c）；黑表笔接的为发射极（e）。
2.判断好坏
将万用表拨在r×10kω挡，用黑表笔接igbt 的集电极（c），红表笔接igbt 的发射极（e），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（g）和集电极（c），这时igbt 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（g）和发射极（e），这时igbt 被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断igbt 是好的。
总之，任何指针式万用表皆可用于检测igbt.注意判断igbt 好坏时，一定要将万用 表拨在r×10kω挡，因r×1kω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使igbt 导通，而无法判断igbt 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（p-mosfet）的好坏。
四、igbt的使用注意事项
由于igbt模块为mosfet结构，igbt的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20~30v.因此因静电而导致栅极击穿是igbt失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：
1.在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块； 尽量在底板良好接地的情况下操作。
2.在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
3.在栅极-发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使igbt发热及至损坏。
总之，在使用igbt的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时（栅极处于开路状态），若在主回路上加上电压，则igbt就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10kω左右的电阻。在安装或更换igbt模块时，应十分重视igbt模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与igbt模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致igbt模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近igbt模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止igbt模块工作。