kri离子源应用于有机材料热蒸镀设备 oled, opv
有机金属热沉积系统是一种热蒸发的方式, 用于将有机或金属材料沉积到基板表面上.该过程需要通过精确控制温度和沉积速率来实现薄膜的高精度和均匀性.上海伯东美国kri 考夫曼离子源可用于基板清洁和加速材料的蒸发速度, 并且 kri离子源在材料沉积过程中可帮助沉积并使沉积后的薄膜更为致密. 有机材料热沉积系统使用高精准热蒸发源作为加热源, 并使用金属, 石英, 陶瓷或 pbn 坩埚来容纳有机材料以及 pid 控制器来控制其沉积速率. 该系统通常用于有机电子研究领域, 例如 opv, oled, opd...
------ 有机材料热蒸镀设备 oled, opv -----
上海伯东美国 kri射频离子源rficp 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长!射频源rficp 系列提供完整的套装, 套装包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.
射频离子源rficp 系列技术参数:
型号
rficp 40
rficp 100
rficp 140
rficp 220
rficp 380
discharge 阳极
rf 射频
rf 射频
rf 射频
rf 射频
rf 射频
离子束流
>100 ma
>350 ma
>600 ma
>800 ma
>1500 ma
离子动能
100-1200 v
100-1200 v
100-1200 v
100-1200 v
100-1200 v
栅极直径
4 cm φ
10 cm φ
14 cm φ
20 cm φ
30 cm φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
3-10 sccm
5-30 sccm
5-30 sccm
10-40 sccm
15-50 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他
典型压力
< 0.5m torr
< 0.5m torr
< 0.5m torr
< 0.5m torr
< 0.5m torr
长度
12.7 cm
23.5 cm
24.6 cm
30 cm
39 cm
直径
13.5 cm
19.1 cm
24.6 cm
41 cm
59 cm
中和器
lfn 2000
若您需要进一步的了解离子源或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东：罗先生