图1 n沟道增强型mosfet的结构示意图和符号
mos场效应三极管分为：增强型（又有n沟道、p沟道之分）及耗尽型（分有n沟道、p沟道）。n沟道增强型mosfet的结构示意图和符号见图1。其中：电极 d（drain） 称为漏极，相当双极型三极管的集电极； 电极 g（gate） 称为栅极，相当于的基极；
电极 s（source）称为源极，相当于发射极。
1．n沟道增强型mosfet
（1）结构
根据图1，n沟道增强型mosfet基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在p型半导体上生成一层sio2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的n型区，从n型区引出电极，一个是漏极d，一个是源极s。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极g。p型半导体称为衬底，用符号b表示（2）工作原理
① 栅源电压vgs的控制作用
当vgs＝0 v时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在d、s之间加上电压不会在d、s间形成电流。
当栅极加有电压时，若0＜vgs＜vgs(th)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的p型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，将漏极和源极沟通，所以仍然不足以形成漏极电流id。
进一步增加vgs，当vgs＞vgs(th)时（ vgs(th) 称为开启电压），由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的p型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。在栅极下方形成的导电沟道中的电子，因与p型半导体的载流子空穴极性相反,故称为反型层。随着vgs的继续增加,id将不断增加。在vgs＝0v时id＝0，只有当vgs＞vgs(th)后才会出现漏极电流，这种mos管称为增强型mos管。vgs对漏极电流的控制关系可用id＝f(vgs)|vds＝const这一曲线描述，称为转移特性曲线，见图2。
转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 gm 的量纲为ma/v，所以gm也称为跨导。
图2 转移特性曲线
跨导的定义式如下：
　gm＝△id/△vgs|vds=const (单位ms) （1）
②漏源电压vds对漏极电流id的控制作用
当vgs＞vgs(th)，且固定为某一值时，来分析漏源电压vds对漏极电流id的影响。vds的不同变化对沟道的影响如图33所示。根据此图可以有如下关系
　vds＝vdg＋vgs＝ －vgd＋vgs
　vgd＝vgs－vds
当vds为0或较小时，相当vgd＞vgs(th)，沟道分布如图3 (a)，此时vds 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。在紧靠漏极处，沟道达到开启的程度以上，漏源之间有电流通过。
当vds增加到使vgd＝vgs(th)时，沟道如图3(b)所示。这相当于vds增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断，此时的漏极电流id基本饱和。当vds增加到vgd＜vgs(th)时，沟道如图3 (c)所示。此时预夹断区域加长，伸向s极。 vds增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， id基本趋于不变。
图3 漏源电压vds对沟道的影响
当vgs＞vgs(th),且固定为某一值时,vds对id的影响, 即id＝f(vds)|vgs＝const这一关系曲线如图4所示。这一曲线称为漏极输出特性曲线。
(a) 输出特性曲线 　(b)转移特性曲线
图4 漏极输出特性曲线和转移特性曲线
2．n沟道耗尽型mosfet
n沟道耗尽型mosfet的结构和符号如图5（a）所示，它是在栅极下方的sio2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。所以当vgs＝0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。当vgs＞0时，将使id进一步增加。vgs＜0时，随着vgs的减小漏极电流逐渐减小，直至id＝0。对应id＝0的vgs称为夹断电压，用符号vgs(off)表示，有时也用vp表示。n沟道耗尽型mosfet的转移特性曲线如图5（b）所示。
(a) 结构示意图 　(b) 符号(c)转移特性曲线
图5 n沟道耗尽型mosfet的结构和转移特性曲线
3．p沟道耗尽型mosfet
p沟道mosfet的工作原理与n沟道mosfet完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有npn型和pnp型一样。