电力晶体管gtr （giant transistor）直译为巨型晶体管）耐高电压、大电流的双极结型晶体管（bipolar junction transistor——bjt），英文有时候也称为power bjt，在电力电子技术的范围内，gtr与bjt这两个名称等效。
与普通的双极型晶体管基本原理是一样的，基本结构有npn和pnp两种结构，在电子电路中主要采用npn结构。采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成；单个gtr电流增益较低，驱动时需要较大的驱动电流，由于单级高压晶体管的电流增益仅为10左右，为了提高电流增益，常采用达林顿结构，如每级有10倍的增益，则3级达林顿结构的电流增益可达1000左右。