低温等离子体可以将气体分子离解或分解成化学活性成分。电路设计的是通过一个掩模向基板传输电路。紫外照射后，用显影方法除去光敏聚合物光刻胶。电路图案一旦在光刻胶上成型，就可以通过刻蚀工艺将图案复制到多晶硅等质地的基膜上，从而形成晶体管门电路，同时利用铝或铜实现元器件之间的互连，或者利用二氧化硅阻断互连路径。蚀刻的作用是把印纹以很精密的方式转移到基底，因此刻蚀过程必须有选择地去除不同的膜层，对基底的腐蚀有很高的选择性。否则，不同导电金属层之间会出现短路。此外，刻蚀工艺还应具有各向异性，以保证印刷图案的精确复制到基底。
低温等离子体可以将气体分子离解或分解成化学活性成分，后者与基底固体表面发生反应，产生挥发性物质，然后被真空泵抽走。通常有四种材料必须刻蚀:硅(杂硅或非杂硅)、电介质(如sio2或sin)、金属(通常是铝、铜)和光刻胶。每种材料的化学性质都不同。低温等离子体腐蚀是一种各向异性腐蚀工艺，可以保证腐蚀图案的准确性、特定材料的选择性和腐蚀效果的均匀性。等离子体刻蚀与活性基团同时发生物理刻蚀。从相对简单的平板二极管技术开始，等离子体刻蚀已经发展成为一种價值数百万美元的结合腔。它配有多频发生器、静电吸盘、外壁温控制器和专门为特定薄膜设计的各种过程控制传感器。
sio2和sin是sio2和sin。二者的化学键可以很高，一般需要cf4、c4f8等，产生高活性氟等离子体能被刻蚀。上述气体产生的等离子体化学性质极其复杂，往往会在基底表面产生聚合物沉积。一般低温等离子体可以将气体分子离解或分解成化学活性成分，去除上述沉积物。