某光学器件制造商采用伯东hakuto离子蚀刻机20ibe-j应用于光学器件精密加工,通过蚀刻工艺提高光学器件的聚酰亚胺薄膜的表面光洁度.
hakuto离子蚀刻机20ibe-j技术参数
φ4 inch x 12片
基片尺寸
φ4 inch x 12片
φ5 inch x 10片
φ6 inch x 8片
均匀性
±5%
硅片刻蚀率
20 nm/min
样品台
直接冷却,水冷
离子源
φ20cm考夫曼离子源
hakuto离子刻蚀机20ibe-j的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国考夫曼博士创立的kri考夫曼公司的射频离子源rficp220
伯东kri射频离子源rficp 220技术参数:
离子源型号
rficp 220
discharge
rficp射频
离子束流
>800 ma
离子动能
100-1200 v
栅极直径
20 cm φ
离子束
聚焦,平行,散射
流量
10-40 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2,其他
典型压力
< 0.5m torr
中和器
lfn 2000
采用伯东hakuto离子蚀刻机20ibe-j可以使pv、rms分别为1.347μm和340nm的粗糙表面,通过蚀刻其粗糙度可降低至75nm和13nm; pv、rms分别为61nm和8nm的表面,其粗糙度可降低至9nm和1nm.该刻蚀工艺能有效提高光学器件聚酰亚胺薄膜的表面光洁度.
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上海伯东:罗先生