近年以来受惠影音消费性电子产品兴起的热潮，消费者对资料储存的需求与日俱增，使得nand flash的需求出现大幅度的成长。
快闪记忆体(flash memory)目前分为nor和nand两种，nor、nand flash结构由东芝(toshiba)于1988 和1989年发表。 nor flash具有xip (execute in place)的特点，这样应用程序可以直接在flash内运行，不必再把原始码读到系统ram中，也因此部份nor flash被当作rom使用。 nor flash传输效率很高，在1~4mb的小容量具有很高的成本效益，但是很低的写入和抹除速度大大影响它的性能。而nand flash能提供较高的单元密度，可以达到高储存密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用nand flash的困难在于需要特殊的系统管理方法，所以需要1个控制晶片(nand flash controller)。一般而言nor flash仅用来储存少量的代码，而nand flash则用做大量资料储存用途。目前市场上主要的nand flash制造商为三星(samsung)、东芝(toshiba)、sk海力士(hynix)、美光(micron)和新帝(sandisk)等。
nand flash需求主要集中在智慧型手机、平板电脑、云端储存大型资料库用的固态硬碟(ssd)以及应用在消费端如记忆卡(secure card)、随身碟(usb disk)等。
虽然nand flash如此蓬勃的发展，但市面上针对nand flash汇流排的除错工具真可谓少之又少，acute pc-based逻辑分析仪提供nand flash汇流排触发与解码。 nand flash汇流排解码可以帮助工程师解读讯号而触发功能则可以快速定位到nand flash command/address/data，甚至是busy time error的位置。
nand flash汇流排解码:
nand flash汇流排解码支援samsung/toshiba/hynix/micron/intel/st/spansion/
winbond/macronix/onfi等厂牌。
其中”储存nand flash data”功能可将nand flash汇流排解出来的资料，属于data的部份另外存成.bin档案，因为nand flash是一种会发生坏块(bad block)的储存架构，所以需要制定一套坏块管理方法。而工程师可以利用这些档案来检视其坏块管理法是否适当。 “reduced report”功能可让报告视窗仅显示nand flash command，这样就可以仅检视nand flash command而不会被大量nand flash data占据整个报告视窗。
nand flash汇流排触发:
nand flash汇流排触发除了可以快速定位nand flash command/address/data以及busy time error的位置之外，还可以利用nand flash汇流排触发提供的clause trigger架构以及搭配timer/counter来做不同的触发组合。
出现10次nand flash erase时触发:
可以藉由上述之触发组合来检测flash擦除(erase)次数是否正确；也可以利用类似的触发组合来检测nand flash其他的指令是否正常运作，诸如写入flash、读取flash等等。
acute pc-based逻辑分析仪nand flash汇流排触发与解码功能可以帮助nand flash工程师快速解读以及定位nand flash讯号，节省除错时间并加快产品上市时间。