hakuto日本原装设计制造离子刻蚀机ibe,提供微米级刻蚀,满足所有材料的刻蚀,即使对磁性材料,金铜镍银铂等金属及复合半导体材料,这些难刻蚀的材料也能进行微米级刻蚀.
伯东离子刻蚀机ibe组成主要包含真空刻蚀腔体,样品台,离子源等.
其配置如下：
一. 真空腔体
伯东离子刻蚀机ibe的真空刻蚀腔体配置的是德国pfeiffer分子泵.
pfeiffer分子泵抽速范围10至2700 l/s,转速高90,000 rpm,极限真空1e-11 mbar,能满足各种各样真空度要求.
伯东是pfeiffer vacuum德国普发真空产品*代理商,销售维修普发pfeiffer真空产品已超过20年.
二. 离子源
伯东离子刻蚀机ibe配置的美国考夫曼博士设立的考夫曼公司kri考夫曼离子源.
可选的离子源包括：
射频离子源:rficp380,rficp220,rficp140,rficp100,rficp40
考夫曼离子源:kdc160,kdc100,kdc75,kdc40,kdc10
霍尔离子源:eh3000,eh2000,eh1000,eh400,线性霍尔离子源eh linear
伯东公司是美国考夫曼博士设立的考夫曼公司kri考夫曼离子源亚洲总代理.
三. 样品台
伯东离子刻蚀机ibe的样品台可选直接冷却/间接冷却/水冷,而且可以0-90度旋转.
其中基片尺寸大小支持φ3 inch, φ4 inch,φ5 inch,φ6 inch, φ8 inch等各种尺寸.
伯东离子刻蚀机ibe优势:
伯东离子刻蚀机集好设备于一身,其性能也是优越于市面上绝大部分离子刻蚀机.
1. 刻蚀材料范围广,提供微米级刻蚀,满足所有材料的刻蚀,即使对黄金au ,铂pt ,合金等金属及半导体材料也能提供优质蚀刻
2. 均匀性高,高达≤±5%
3. 硅片刻蚀率可达20 nm/min
4. 样品台冷却方式多,可选直接冷却,间接冷却
5. 样品台可0-90度旋转
伯东离子蚀刻机ibe包含小型离子蚀刻用于研究分析和大型离子蚀刻系统用于生产制造,已应用于半导体器件,集成电路制造,薄膜电路,印刷电路,手机背板镀膜,手机广角镜头镀膜等.
伯东离子刻蚀机ibe可选型号有:20ibe-j,20ibe-c,10ibe,7.5ibe