某光学元件制造商为了优化碳化硅微光学元件,降低碳化硅微光学元件表面粗糙度,采用hakuto离子蚀刻机10ibe对其进行优化.
hakuto离子蚀刻机10ibe技术参数:
基板尺寸
< ф8 x 1wfr
样品台
直接冷却（水冷）0-90度旋转
离子源
16cm
考夫曼离子源
均匀性
±5% for 4”ф
硅片刻蚀率
20 nm/min
温度
<100
该制造商采用的hakuto离子刻蚀机10ibe的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的kri考夫曼公司的考夫曼离子源kdc 160
伯东美国kri考夫曼离子源kdc 160技术参数：
离子源型号
离子源kdc 160
discharge
dc热离子
离子束流
>650 ma
离子动能
100-1200 v
栅极直径
16 cm φ
离子束
聚焦,平行,散射
流量
2-30 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2,其他
典型压力
< 0.5m torr
长度
25.2 cm
直径
23.2 cm
中和器
灯丝
*可选:可调角度的支架
hakuto离子刻蚀机10ibe配的是pfeiffer涡轮分子泵hipace 700,可抽的真空度< 1 · 10-7hpa,良好的保持刻蚀室的真空度.
其产品优势:
1.结构紧凑但功能强大的涡轮泵，用于n2时的高抽速可达685 l/s
2.佳真空性能，低功耗
3.集成的带profibus的驱动电子装置tc 400
4.可在任何方向安装
5.带有集成型水冷系统以保证大气体流量
6.通过m12插接头的profibus连接
7.广泛的配件扩展使用范围
运行结果:
1. 经过hakuto离子蚀刻机10ibe对碳化硅微纳结构进行刻蚀,以调控结构的线宽和深度,使结构表面粗糙度由约106nm降低到11.8nm.
2. 碳化硅菲涅尔波带片展现出良好的聚焦和成像效果.