让国内如此疯狂的3dnand闪存到底是个啥nand存储产品是工艺越老可擦写次（pe)数越多，3dnand是指内部可以多层堆叠封装，现在国内半导体工艺不够成熟，在先进工艺上短期内追赶的可能性不大，但在nand产品方面则可以通过使用老一代工艺的多层堆叠来实现弯道超车（老工艺的生产的成本更低）。
1、紫光国微行业分析,002049行业分析存储芯片行业主要上市公司：中芯国际()、兆易创新()、紫光国微()、普冉股份()、聚辰股份()、澜起科技()、北京君正()等本文核心观点：紫光集团在存储芯片领域投资力度较大，旗下长江存储是国内第一家可以完成3dnandflash存储芯片的厂商，有望带领我国存储芯片行业加速国产代替进程。1、中国存储芯片行业龙头企业全方位对比中国存储芯片行业起步晚，缺乏技术经验累积，行业被国际巨头垄断。
其中，长江存储是国内第一家可以完成3dnandflash存储芯片的厂商，兆易创新在2020年全球norflash市场中市占率达到15.6%，排名第三，仅次于华邦和旺宏。注：1)由于紫光集团未上市，紫光集团以上存储芯片相关业务收入和毛利率数据为紫光集团旗下上市公司紫光国微财务数据，2020年紫光国微完成西安紫光国芯76%股权转让，自2020年起存储芯片业务不再将其纳入公司合并报表范围。
2、最大内存芯片制造商美光科技官宣新建巨型晶圆厂的计划,对当地将有何...最大内存芯片制造商美光科技官宣新建巨型晶圆厂的计划，这个计划能够带动当地的就业机会，帮助当地很多人都找到工作。会给当地带来很大的经济条件，促进人们的生产，可以更好的储存他们的芯片，也会越来越发达。对当地还是有一定影响力及作用的，可以更好储存他们的生产，让自己达到一个很高的高度。一、据该公司称，新的nand已经以有限的数量交付给客户和crucial英睿达ssd产品，今年晚些时候将进一步增加产量。
最终可能有4座600,000平方英尺无尘室，达240万平方英尺，约相当于40个美式足球场。纽约工厂将采用最先进的半导体制造工艺和工具，包括极紫外线（euv）光刻技术，以巩固公司在dram行业中的领先地位。二、在2031年2040年期间，美光将致力于推动dram在美产量的增长，目标是占全球产量的40%以上。
3、半导体产业链企业全球芯片中游相关企业汇总览芯片设计:三星、英特尔、高通、博通、东芝、st、苹果、美光、英伟达、恩智清、英飞凌、rda、sk海力士、西部数据、德州仪器、海思、兆易创新、汇顶科技、华大半导体、大唐电信、国民技术、中星微电子、北京君正。芯片制造:中芯国际、华虹半导体、台积电、三星、英特尔、三安光电、上海先进、上海samc、towerjazz、sk海力士、格罗方德、联华电子、力晶科技、vanguard、华虹宏力、富士通、长江存储科技、华润上华科技、华力微电子。
4、国产ssd取得重大突破,但是和老外还是有一定差距相比传统3dnand闪存架构，xtacking可带来更快的i/o传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。目前大多数nand芯片仅能供应1.0gbps实际速率。xtacking技术有望大幅提升nandi/o速度到3.0gbps，与dramddr4的i/o速度相当。长江存储的xstacking技术基于武汉新芯科技的cis传感器芯片上开发的堆栈技术，它把外围电路置于存储单元之上，外围电路和存储单元是2片晶圆，这就意味着其芯片可用面积远大于其他传统3dnand架构，从而实现更高的存储密度。
5、中国能制造内存颗粒吗以前没有，但今年国内厂商已经得到大基金的投资，准备生产完全国产化的大内存颗粒。在大基金的支持下，国内最大的两家晶圆代工企业中芯国际和华力微开始大举扩张产能。2016年10月13日，中芯国际投资近千亿元在上海开工新建一条12英寸生产线，制程为14纳米及以下，月产能7万片；另外，中芯国际还在深圳投资建设一条月产能4万片的12英寸生产线，在天津投资扩充原天津8英寸厂的产能，由4.5万片/月，扩大至15万片/月。
6、sk海力士宣布开发出238层闪存芯片,将于明年量产sk海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产sk海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产，sk海力士238层nand闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。sk海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产。sk海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产1据国外媒体报道，周二，韩国芯片制造商sk海力士宣布，它已开发出238层nand闪存芯片。
7、...3dnandbics5颗粒将在2020下半年量产,堆叠达112层当前3d堆叠技术在nand颗粒是相当主流的，而westerndigital的3d颗粒技术也将迈入新世代，宣布与日本kioxia/铠侠(原东芝记忆体)共同合作开发的bics5tlc与qlc颗粒将在2020下半年进入商用量产，相较当前采96层堆叠的bics4，bics5则达到112层，使得每晶片储存量提升40%，最高可达1.33tb，此外i/o性能也较bics4提高50%。
8、国产内存颗粒占有率据最新数据显示，我国内存颗粒占有率已超过80%，且正以较快的速度增长。其中，由于我国内存制造商在技术上的不断进步和生产能力的不断扩大，以及中央政府对行业发展的大力支持，我国内存颗粒占有率也不断上升。目前，我国在dram、nandflash、norflash以及其它内存颗粒方面已形成了一定规模的生产能力。
9、让国内如此疯狂的3dnand闪存到底是个啥nand存储产品是工艺越老可擦写次（pe)数越多，3dnand是指内部可以多层堆叠封装，现在国内半导体工艺不够成熟，在先进工艺上短期内追赶的可能性不大，但在nand产品方面则可以通过使用老一代工艺的多层堆叠来实现弯道超车（老工艺的生产的成本更低）。什么是3dnand闪存？从新闻到评测，我们对3dnand闪存的报道已经非常多了，首先我们要搞懂什么是3dnand闪存。