在200mm晶圆时代, 介质、多晶以及金属刻蚀是刻蚀设备的三大块. 进入300mm时代以后, 随着铜互连的发展, 金属刻蚀逐渐, 介质刻蚀份额逐渐加大. 介质刻蚀设备的份额已经超过50%以上. 而且随着器件互连层数增多, 介质刻蚀设备使用量就越大.
为了适应工艺发展需求, 各家设备厂商都推出了一系列的关键技术来满足工艺需求. 主要有以下几类:
1:双区进气+additional gas: additional gas的目的是通过调节内外区敏感气体的量提高整个刻蚀均一性, 结果比较明显.2:等离子体技术: 等离子体密度和能量单独控制3:等离子体约束: 减少particle, 提高结果重复性4:工艺组件: 适应不同工艺需求, 对应不同的工艺组件, 比如不同的工艺使用不同的focus ring
5: narrow gap: 窄的gap设计可以使得电子穿过壳层, 中和晶圆上多余的离子, 有利于提高刻蚀剖面陡直度.6:反应室结构设计；由200mm时的侧抽, 改为下抽或者侧下抽. 有利于提高气流均一性.
随着工艺的发展需求, 离子源被逐渐用于刻蚀设备，上海伯东代理美国考夫曼 kri 离子源, 其产品霍尔离子源eh400 hc 成功应用于离子蚀刻 ibe.
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上海伯东:罗女士