在如图1所示的共射极接法的bjt的小信号模型中，h参数的数量级一般为
图1
图2
例如，对高频小功率硅管3dg6，在ic=1ma，ib=3μa，vce=5v时的h参数，通过实验测得
由这些具体数字可见，hoe和hre相对而言是很小的，对于低频放大电路，输入回路中hrevce比vbe小得多，而输出回路中负载电阻rc（或rl）比bjt输出电阻1/hoe小得多，所以在模型中常常可以把hre和hoe忽略掉，这在工程计算上不会带来显著的误差。同时采用习惯符号，用rbe代替hie并且b代替hfe，则图1可简化成图2所示模型电路。利用这个简化模型来表示bjt时，可使bjt放大电路的分析计算进一步简化。当负载电阻rc（或rl）较小，满足rc（或rl）< 0.1rce的条件时，利用这个简化模型来分析低频放大电路所得放大电路的各主要指标，如电压增益、电流增益、放大电路的输入电阻ri及输出电阻ro等，其误差不会超过10%。