半导体二极管的伏安特性曲线如图1所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。
图1 二极管的伏安特性曲线
1. 正向特性
当v＞0，即处于正向特性区域。正向区又分为两段：
当0＜v＜vth时，正向电流为零，vth称为死区电压或开启电压。
当v＞vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。
硅二极管的死区电压vth＝0.5 v左右，
锗二极管的死区电压vth＝0.1 v左右。
2. 反向特性
当v＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：
当vbr＜v＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流is。
当v≥vbr时，反向电流急剧增加，vbr称为反向击穿电压。
在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。从击穿的机理上看，硅二极管若|vbr|≥7v时，主要是雪崩击穿；若vbr≤4v则主要是齐纳击穿，当在4v～7v之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。