热丝cvd金刚石设备（热丝cvd化学沉积系统）主要用于微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜、硬质合金基金刚石涂层刀具、陶瓷轴承内孔镀金刚石薄膜等。
可用于生产制造环保领域污水处理用的耐腐蚀金刚石导电电极。
可用于平面工件的金刚石薄膜制备，也可用于刀具表面或其它不规则表面的金刚石硬质涂层制备。
平面工作尺寸
圆形平面工作的尺寸：φ650mm。
矩形工作尺寸的宽度600mm/长度可根据镀膜室的长度确定（如：工件长度1200mm）。
配置冷水样品台。
热丝电源功率
可达300kw，1kw ～300kw可调（可根据用户工艺需求配置功率范围）
设备安全性
-电力系统的检测与保护
-设置真空检测与报警保护功能
-冷却循环水系统压力检测和流量检测与报警保护
-设置水压检测与报警保护装置
-设置水流检测报警装置
热丝cvd金刚石设备（热丝cvd化学沉积系统）构成
真空室构成
双层水冷结构，立式圆形、立式d形、立式矩形、卧式矩形,前后开门，真空尺寸,根据工件尺寸和数量确定。
热丝
热丝材料：钽丝、或钨丝
热丝温度：1800℃～ 2500℃ 可调
样品台
可水冷、可加偏压、可旋转、可升降 ，由调速电机控制，可实现自动升降，（热丝与衬底间距在5 ～ 100mm范围内可调），要求升降平稳,上下波动不大于0.1mm。
工作气路（cvd）
工作气路根据用户工艺要求配置：
下面气体配置是某一用户的配置案例。
h2(5000sccm，浓度100/%)
ch4(200sccm，浓度100/%)
b2h6（50sccm，h2浓度99%）
ar(1000sccm，浓度100/%)
真空获得及测量系统
控制系统及软件
实验型 热丝cvd 金刚石设备
单面热丝cvd 金刚石设备
双面热丝cvd 金刚石设备
生产型热丝cvd 金刚石设备
可制备金刚石面积-宽650*1200mm
可制备金刚石φ 650mm
关于我们
鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术沿与市场沿的交叉点，寻求创新与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。
公司核心业务是微纳技术与精密制造，具体应用域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。
公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。
公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先/进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。
公司已投放市场的部分半导体设备
|物理气相沉积（pvd）系列
磁控溅射、电子束、热蒸发镀膜机，激光沉积设备pld
|化学气相沉积（cvd）系列
mocvd、pecvd、lpcvd、微波等离子体cvd、热丝cvd、原子层沉积设备ald
|超高真空系列
分子束外延系统（mbe）、激光分子束外延系统（lmbe）
|成套设备
团簇式太阳能薄膜电池中试线、oled中试设备（g1、g2.5）
|其他
金刚石薄膜制备设备、合金退火炉、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电制备设备
|真空镀膜机用电源/真空镀膜机控制系统及软件
直流溅射电源、rf射频溅射电源、高精度热蒸发电源、高能直流脉冲电源（中频可调脉宽）
控制系统及软件
团队部分业绩分布自主设计制造的分子束外延（mbe）设备，包括自主设计制造的mbe超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到8.0×10^-9pa。
设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至仍在正常使用。
设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法pecvd技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。
设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。
设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。
设计制造了oled有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先/进/材料实验室。
设计制造了mocvd及合金退火炉，用于gan和zno的外延生长，实现led无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基led工程技术研究中心。
设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。
设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。