不同技术的钽电容的故障模式介绍
根据v-a涵数,采用mno2/二氧化锰或导电聚合物制造的固体钽电容器可被当作一种mis(金属-氧化物-半导体)二级管，并且其反模式与正向作业的mis二级管一致。
如采用mno2/二氧化锰作为负极材料，在正常模式下的热击穿会因能量损耗而伴随电击穿。然而，在反模式下，焦耳热会产生电导的增加，而导致击穿发生。正反馈循环然后发生：温度-电导-焦耳热-温度升高。
在另一方面，导电聚合物电容器的v-a涵数，具有第一部分，低密度区域，被描述为正方律关系（曲线）。其与电流注入绝缘层（陷阱-嵌层-极限）关连。由于空间电荷的统一陷阱分布对电流注入的限制，最终伴随二次方关系（曲线）。
在25–35v（三倍额定电压）测试电压条件下引发的mno2/二氧化锰电容器的电击穿导电聚合物介子层击穿出现在较低电压10–20v(一至两倍于额定电压)。
在电击穿实验中，mno2/二氧化锰部件被证明比经过实验的任何一种导电聚合物技术具有更强的自愈能力。在测试中，未发现足够的自愈过程来支持导电聚合物材料具有自愈能力的论点。为了解导电聚合物材料的物理特性和潜在用途，还需要做进一步的工作.
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