对燃油经济性的日益重视要求车辆动力系统电气化，并由新动力的使用提供支持专用于汽车应用的半导体器件。目前的电动汽车系统很大程度依赖于硅基材料电源，但硅功率器件正迅速接近成熟，其性能有限，这对解决所有电力推进系统提出了新的要求，包括大电流(200至600 a)、高电压(100至600 v)和低损耗功率半导体开关。此外，硅的进一步增强是增量的，而花费的成本却越来越不合算。
图一：样品:gan/al0.25ga0.75n/al0.5 ga0.5n/ al0.8ga0.2n/aln/si为gan p型掺杂前(左图)和注入mg+后(右图)的抛光截面。
与现在的系统相比，下一代电动汽车需要改变游戏规则:电源需体现出更高效率和差异化的系统级优势。因此，新电子需要材料和器件结构。氮化镓(gan)开关预计具有100x优于硅基器件的性能优势，由于其优异的材料性能，如：高电子迁移率，高击穿场，高电子速度。gan外延生长的技术允许制造gan-on-si高品质、低成本、大晶圆尺寸的晶圆。
由于其与大批量硅晶圆厂的兼容性，gan-on-si技术平台可以大规模生产体积大且性能优越的硅晶圆而减小成本，使这项技术真正改变了游戏规则并用于汽车领域。阴极发光是其中半导体物理中使用的关键技术。它能够提供iii-v薄膜材料的空间表征分辨率从而开辟出广阔的研究领域。
attolight cl系统，由于它的创新配置，可以应用在以上半导体物理研究中并提供以下优势:1、高视场，可量化穿线位错缺陷(tdd)的表面缺陷映射。2、高光谱制图与采集速度兼容良好的空间分辨率，导致完整的结构表征在抛光截面上。3、高度稳定的冷冻阶段允许高分辨率测量在10k时给出缺陷的空间分布信息例如，监测材料掺杂。
图二：在同一植入样品上获得sims剖面。cl检测到的缺陷区域深度与sims剖面检测到的深度相匹配。