多孔硅制造技术在标准硅晶片上使用多孔硅的选择性形成和蚀刻，产生可用于各种mems器件的微结构。posifa的多孔硅制造平台已经无缝集成到标准的cmos工艺中，无需使用昂贵的 传统mems加工工艺，传统的mems工艺需要专用设备和设施，价格昂贵且产能受限。使用标准的cmos工艺带来两大优势。
首先，cmos制造工艺的高可靠性、高质量和高可扩展性，使posifa可以为大批量的应用提供高性价比的传感解决方案，而且保证供应。其次，模拟和数字电路单元可以很容易地与传感元件结合，提供高度集成、功能强大的解决方案。围绕多孔硅制造技 术，posifa已获得一系列，将持续在这个平台上开发更多创新产品。