igbt的开通和关断是由栅极电压来控制的。
当栅极施以正电压时，mosfet内形成沟道，并为pnp晶体管提供基极电流，从而使igbt导通。此时从n+区注入到n-区的空穴（少子）对n-区进行电导调制，减小ⅳ区的电阻rdr ，使阻断电压高的igbt也具有低的通态压降。当栅极上施以负电压时。mosfet内的沟道消失，pnp晶体管的基极电流被切断，igbt即被关断。
在igbt导通之后。若将栅极电压突然降至零，则沟道消失，通过沟道的电子电流为零，使集电极电流有所下降，但由于n-区中注入了大量的电子和空穴对，因而集电极电流不会马上为零，而出现一个拖尾时间。