驱动芯片的desat保护时间是指保护电路识别mosfet的短路事件到关闭mosfet之间的时间。为了保护mosfet不被损坏，可以通过调整desat保护时间来防止其过度加热或烧毁。下面将介绍一些计算驱动芯片desat保护时间的方法。
第一种方法是使用集成电路内部的计算电路。通常情况下，驱动芯片内部会配备desat保护功能，并且会有一个集成的计算电路用于计算保护时间。这个计算电路根据电感的值、差动电流传感器的灵敏度和mosfet的驱动能力来确定保护时间。在使用这种方法时，需要知道驱动芯片的具体型号和其对应的desat计算电路的规格。
第二种方法是通过测量一定电压下的电流来计算保护时间。这种方法需要将驱动芯片接到测试电路上，并通过电感测量电路来测量mosfet的电流。在接受一定的加电电流后，可以通过测量电路的输出来计算出驱动芯片的保护时间。需要注意的是，在这个过程中需要使用适当的测量仪器，如示波器和交流电压源。
第三种方法是根据desat保护的应用场景来进行计算。这种方法需要考虑到驱动芯片的功能、应用环境以及使用中的实际需求。通常情况下，可以通过参考使用手册来了解如何根据应用场景来计算保护时间的方法。
无论是哪种方法，需要对驱动芯片的保护时间进行充分的计算和测试，以确保系统的稳定性和可靠性。只有在正确的保护时间参数下，才能有效地防止mosfet被损坏。在实践中，也需要考虑到不同类别的驱动芯片和应用场景下的差异性，以便实现最佳的保护效果。