微光显微镜(emmi)
对于半导体组件之故障分析而言，微光显微镜(emission microscope, emmi)已被学理证实是一种相当有用且效率*的诊断工具。该设备具备高灵敏度的ccd，可侦测到组件中电子－电洞对再结合时所发射出来的光子，能侦测到的波长约在 350 nm ~ 1100 nm 左右。目前此设备全方面的应用于侦测各种组件缺点所产生的漏电流，如： gate oxide defects / leakage、latch up、esd failure、junction leakage 等。
侦测的到亮点之情况：
会产生亮点的缺点 - junction leakage; contact spiking; hot electrons; latch-up; gate oxide defects / leakage(f-n current); poly-silicon filaments; substrate damage; mechanicadamage及junction avalanche等。原来就会有的亮点 - saturated/ active bipolar transistors; -saturated mos/dynamic cmos; forward biased diodes/reverse biased diodes(break down) 等。
1、emmi可广泛应用于侦测各种组件缺陷所产生的漏电流，包括闸极氧化层缺陷(gate oxide defects)、静电放电破坏(esd failure)、闩锁效应(latch up)、漏电(leakage)、接面漏电(junction leakage) 、顺向偏压(forward bias)及在饱和区域操作的晶体管，可藉由emmi定位，找热点(hot spot 或找亮点)位置，进而得知缺陷原因，帮助后续进一步的失效分析。
2、砷化镓铟微光显微镜(ingaas)与微光显微镜(emmi)其侦测原理相同，都是用来侦测故障点定位，寻找亮点、热点(hot spot)的工具，其原理都是侦测电子-电洞结合与热载子所激发出的光子。差别在于ingaas可侦测的波长较长，范围约在900nm到1600nm之间，等同于红外线的波长区 (emmi则是在350nm-1100nm)。
3、激光束电阻异常侦测(opticabeam induced resistance change，以下简称obirch)，以雷射光在芯片表面(正面或背面) 进行扫描，在芯片功能测试期间，obirch 利用雷射扫瞄芯片内部连接位置，并产生温度梯度，藉此产生阻值变化，并经由阻值变化的比对，定位出芯片hot spot(亮点、热点)缺陷位置。
4、thermaemmi是利用insb材质的侦测器，接收故障点通电后产生的热辐射分布，藉此定位故障点(热点、亮点hot spot)位置，同时利用故障点热辐射传导的时间差，即能预估芯片故障点的深度位置。