产品型号：odd-sxuv-dlpsd
关键字：opto diode位置传感器odd-sxuv-dlpsd
关键字描述：
产品介绍：
odd-sxuv-dlpsd，双侧uv / euv亚微米位置分辨率传感器。新设备在暴露于紫外线和/或极紫外辐射后可提供高度稳定的响应。它采用to-8无窗口封装，可大程度减少暴露于强烈的uv/euv光子后二极管的响应度变化。odd-sxuv-dlpsd的有效面积为5 mm x 5 mm，非常适合光刻应用以及需要使用200 nm以下波长的任何定位应用。
连续位置检测光电二极管设计用于位置检测1 nm至400 nm波长的光。在13 nm处的响应度通常为0.20 a/w；254 nm的响应度通常为0.02 a/w。在工作条件下，暗电流为10（典型值）和50（max.）na。新的odd-sxuv-dlpsd具有反向击穿电压，min.50伏，电容为40（典型值）至60（max.）pf。操作和存储温度范围从-10℃到40℃（环境温度）和-20℃到80℃（在氮气或真空条件下）。结温为max.70℃，引线焊接温度为0.080英寸，距外壳10秒钟为260℃。
参数：
活动区域：25 mm2
响应度r@13nm：0.20 a/w
响应度r@254nm：0.02 a/w
反向击穿电压，vr：min.50 v
电容，c：40pf（典型），60 pf（max）
上升时间vr = 30v，rl =50ω：200 nm
分流电阻vr =±10mv ：5 mohms
电极间电阻：5,000（min），10,000（典型），15,000（max）欧姆
id的温度系数：1.15次/ºc
位置非线性：±1 ％（典型），±2％（max）