晶圆表面的清洗生产工艺上,等离子表面处理机有着怎样的的应用呢？小编今日就来普及一下这方面的知识。
伴随着半导体技术的不断发展，对工艺技术的要求也越来越高，尤其是对半导体晶圆表面质量的要求越来越高，其主要原因是芯片表面层的颗粒和金属杂质的脏污会严重影响芯片的质量和成品率，在目前的电子器件制造中，鉴于晶圆表面层脏污难题，已经超过50%的原料被遗失。
在半导体设备的生产过程中，几乎每道工序都要进行清洁，晶片的清洁质量严重影响设备的性能。考虑到晶圆清洁是半导体制造过程中重要且频率很高的过程，其工艺质量直接影响设备的产量、性能和可靠性，国内外各大公司和科研机构对清洁过程进行了大量的研究。等离子表面处理机是一种*的干式清洁技术，具有绿色环保等特点，随着微电子工业的迅速发展，等离子表面处理机在半导体工业中的应用越来越广泛。
半导体制造过程需要有(机)和无机物参与完成，另外，鉴于人工参与在净化室内完成了工艺过程，因此半导体晶圆不可避免地受到各种杂质的污物。按污染源的来源、性质等，大致可分为四类：颗粒、有(机)物、金属离子和氧化物。
1)颗粒主要是聚合物、光刻胶和腐蚀杂质。这种污染源通常情况下主要依赖范德瓦尔斯引力吸附在片状表面层，从而影响到器件光刻过程中的几何形状和电参数。这类污染源的去除主要是根据物理化学的方法对颗粒进行底切，逐渐减少其与晶圆表面层的接触面积，以便实现去除；
2)有(机)物杂质的来源比较广泛，如人体皮肤油脂、机械油、真空脂、光刻胶、清洁剂等。这种污物化学物质通常情况下会在晶圆表层产生有(机)膜，导致清洗剂没法抵达晶圆表面层，导致清洗后的金属杂质等污染源仍然保留在晶圆表面层中。这种污染源的去除通常情况下在清洁过程的开始步骤进行，主要是用硫酸和过氧化氢；
3)铁、铜、铝、铬、钨、钛、钠、钾、锂等半导体工艺中常见的金属杂质，其来源主要有：各种器皿、管道、化学试剂、半导体晶圆加工过程中，半导体晶圆的加工过程中，在产生金属互连的同时，也产生各种金属污物。这种杂质的去除通常情况下采用化学方法，由各种试剂和化学药品配制的清洗液与金属离子反应，产生金属离子的络合物，从片面分离出来；
4)暴露于氧和水环境中的半导体晶圆表面层，会产生一层天然氧化层。这种氧化膜不仅阻碍了半导体制造的许多步骤，而且还含有某些金属杂质，在一定条件下，这种杂质会转移到晶圆上产生电缺陷。这种氧化膜的去除通常情况下是用稀氢氟酸浸泡来完成的。
将等离子表面处理机应用于半导体晶圆清洁工艺中，具有工艺简单、操作方便、无废料处理及环境污染等优点。然而，它并不能去除碳和其它不挥发的金属或金属氧化物杂质。等离子表面处理机常用于光刻胶的去除，在等离子表面处理机反应系统中注入少量氧气，在强电场的作用下，使氧气产生电浆，迅速将电浆氧化成挥发性气体状态化学物质。此种清洁工艺具有操作方便、效率高、表面层清洁、不产生划伤、保证产品质量等优点，而且不需酸、碱、有机溶剂等，越来越受到人们的重视。