infineonfd1200r17hp4-k_b2,eupec,图片。
>h桥(4单元)
产品型号 参数说明 封装形式
f4-30r06w1e3 30a,600v,igbt3 easypack1b
f4-50r06w1e3 50a,600v,igbt3 easypack1b
f4-75r06w1e3 7,600v,igbt3 easypack1b
图片pdf中文资料，datasheet详细参数，中文参数，操作方案，进口现货价格，产品库存状况。（如有需要敬请“安科半导体”，可提供）
infineonigbt单管,eupecigbt单管,英飞陵igbt单管,eupecigbt单管,电磁炉用igbt,ikpigbt,ihw系列：
高频600v硬开关频率fk≤150khz；
快速1200v硬开关频率fk≤50khz；
低饱和压降600v硬开关频率fk≤50khz；
低饱和压降1200v硬开关频率fk≤20khz；
600v系列igbt模块，1200v系列igbt模块，1600v系列igbt模块，1700v系列igbt模块，3300v系列igbt模块，6500v系列igbt模块：
dn2系列：频率范围10khz-20khz，饱和压降：2.5v-3.1v；
dn2系列：频率范围4khz-8khz，饱和压降：2.1v-2.4v；
ks4系列：频率范围15khz-30khz，饱和压降：3.2v-3.85v；
ke3系列：频率范围4khz-10khz，饱和压降：1.7v-2.0v；
kt3系列：频率范围8khz-15khz，饱和压降：1.7v-1.9v；
，可控硅，infineon,eupec。