费斯托压力传感器在采用周边固定的圆形应力杯硅薄膜内壁，采用mems技术直接将四个高精密半导体应变片刻制在其表面应力zui大处，组成惠斯顿测量电桥，作为力电变换测量电路，将压力这个物理量直接变换成电量，其测量精度能达0.01-0.03%fs。
电容式压力传感器利用mems技术在硅片上制造出横隔栅状，上下二根横隔栅成为一组电容式压力传感器，上横隔栅受压力作用向下位移，改变了上下二根横隔栅的间距，也就改变了板间电容量的大小，即△压力=△电容量。
压力传感器有硅压阻式压力传感器和硅电容式压力传感器，两者都是在硅片上生成的微机械电子传感器。
硅压阻式压力传感器是采用高精密半导体电阻应变片组成惠斯顿电桥作为力电变换测量电路的，具有较高的测量精度、较低的功耗和极低的成本。惠斯顿电桥的压阻式传感器，如无压力变化，其输出为零，几乎不耗电。其电原理如图1所示。硅压阻式压力传感器其应变片电桥的光刻版本如图2。
技术指标
额定载荷 10～1000kg
综合精度 0.02（线性+滞后+重复性）
灵敏度 2.0 mv/v
蠕变 ±0.02 ％f·s/30min
零点输出 ±1 ％f·s
零点温度影响 ±0.02 ％f·s/10℃
输出温度影响 ±0.02 ％f·s/10℃
工作温度 -20℃～+65℃
费斯托压力传感器在系统安装时需要注意什么情况
输入阻抗 380±10 ω
输出阻抗 350±3 ω
绝缘电阻 >5000 mω
安全过载 150％ f·s
响应时间： 5 ms（上升到90%fs）
供电电压: 24dcv（9～36dcv）
介质温度: -20～85～150℃
环境温度: 常温（-20～85℃）
负载电阻: 电流输出型：zui大800ω；电压输出型：大于50kω
绝缘电阻: 大于2000mω （100vdc
密封等级: ip65
*稳定性能: 0.1%fs/年
振动影响: 在机械振动频率20hz～1000hz内，输出变化小于0.1%fs
电气接口（信号接口）: 四芯屏蔽线、四芯航空接插件、紧线螺母
供桥电压 建议10vdc
材质 合金钢或不锈钢
接线方式 输入（+）：红线 输入（-）：黑线
输出（+）：绿线 输出（-）：白线
费斯托压力传感器在系统安装时需要注意什么情况