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nand与rom有什么区别
1、rom通常指固化存储器（一次写入，反复读取），其特点与ram相反。 rom分为一次性固化型、光擦除型和电擦除重写型两种。断电后数据不会丢失。
2、存储方式不同rom存储方式：如果突然断电或者文件没有保存就关闭了，那么rom可以随机保存之前没有存储的文件。 ram保存方法：如果突然断电或文件未保存就关闭，ram会使之前未保存的文件消失。
3. ram 随机存储器，可读可写，掉电丢失。主要是用来存放系统运行时的空间。 rom是内部存储器。早期只能读不能写。它主要存储系统程序（bios、操作系统等），因此被称为只读存储器。
nand和flash区别
性能差异nand的写入速度比nor快很多； nand的擦除速度比nor快很多； nand的擦除单元更小，相应的擦除电路更简单； nand的实际应用要比nor复杂得多。
容量和成本不同。 nand flash的单元大小几乎是nor器件的一半。由于更简单的生产过程，nand 结构可以在给定的芯片尺寸内提供更高的容量，从而降低了价格。
flash：可以直接执行指令，读取速度快，写入不方便，擦除速度慢。 nand flash：读取速度略快于nor flash，但写入和擦除速度更快。但可靠性略低，需要做损失平衡、数据验证等。
可以节省更多的空间，而norflash则不同，它的空间浪费更多。因此，norflash和nandflash的区别在于存储结构、读写性能和空间占用。根据实际需要，用户可以根据具体需要选择合适的闪存，以达到最佳效果。
nandflash和norflash的区别如下： 开发公司不同： norflash是intel公司在1988年开发的norflash技术，nor的特点是片上执行（xip，executeinplace）。 nandflash存储器是闪存的一种。 1989年，东芝公司发表了nandflash结构。
nor flash的读取和我们常见的sdram一样。用户可以直接运行nor flash中加载的代码，可以减少sram的容量，节省成本。
nand的基本操作
命令锁存使能(cle)：当cle 为高电平时，命令在we# 信号的上升沿锁存到nand 命令寄存器中。
nand型闪存以块为单位擦除。闪存的写操作必须在空白区域进行。如果目标区域已经有数据，必须先擦除再写入。因此，擦除操作是闪存的基本操作。
硬件连接：nand flash接口一般使用24个引脚，包括20个集成电路数据接口，4个地址接口，1个片选接口，1个时钟接口。此外，还需要电源地和电源电压，最常用的电源地电压值为3v。
nand技术flash memory具有以下特点： (1) 读取和编程操作均以页为单位进行，一个页为256或512b(字节)；擦除操作以块为单位进行，块为4k、8k或16kb。
应用程序在nand芯片上的运行是以“块”为基本单位的。 nand闪存的block比较小，一般为8kb，然后每个block分为页，页的大小一般为512字节。要修改nand 芯片中的单个字节，必须重写整个数据块。
再次查看chip2，如果也烧录完毕，可以进行其他页面的下一次烧录。这样，chip1和chip2的交互操作，可以有效利用时间，使整体编程效率提高近2倍，大大提高了nand flash的编程/擦除速度。
nand是什么意思
1、nand闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。其发展目标是降低每比特的存储成本，增加存储容量。
2.一种逻辑算法，在计算机中常以“与非门”的形式存在。表示为：nand。 input output 1 1 0 1 0 1 0 0 1 即先做一个“与”运算，再做一个“非”运算。 nor：一种逻辑算法，在计算机中常以“或非门”的形式存在。
3、nand闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。其发展目标是降低每比特的存储成本，增加存储容量。 nor flash是intel于1988年创立的一种非易失性闪存技术。
4、原因：这是闪烁引起的参数错误。解决方法：关闭iphone；同时按住home键和关机键10秒；松开关机按钮；继续按住主页按钮；直到在电脑上看到设备处于dfu状态。
5、nand比nor开发的晚。在基本单元结构上，nand采用源极和漏极首尾串联形式的晶闸管（包括浮栅）。例如，32个串联的晶闸管称为一个块块。擦除和编程必须以这个最小单元进行操作。
6、nand flash应该是nand memory，指的是手机或者mp4的内存，就像电脑的内存一样，保存了程序运行的一些参数变量，断电后会自动清除。当然，他的大小也影响着手机的运行速度。
与nand的区别'>dram与nand的区别 1、nand是与非门闪存 nor是或非门闪存，不是内存哦 他们都有掉电不丢失数据，大容量，低成本的优点~dram是动态随机存取内存，内存中的数据会在断电后消失 优点是具有高密度，且成本低。
2、应用不同 nor闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；nand闪存是连续存储介质，适合存放大的数据。
3、nand flash 存储器具有容量较大、体积较小、改写速度快等优点，它是移动数码产品存储的理想介质，在业内有广泛的应用，包括手机、相机、随身携带的 u 盘等。手机参数中的256gb、512gb指的就是手机中的闪存大小。
4、数据存储不同：sram不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而dram（dynamic random access memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。
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