■ 双电弧等离子体源共沉积制备新型铂镍催化剂
n. todoroki[1]等人以高活性氧还原反应（oxygen reduction reaction，orr）为目标，设计了一种新型基于铂-镍合金纳米颗粒堆叠薄膜（nanoparticle-stacking thin film，npstf）结构的电催化剂。合成所得铂-镍npstf的质量活性比商用碳负载的铂催化剂要高十倍。铂-镍npstf显著的orr活性增强被归因于：
1）由底层镍原子诱导的表面铂富集层的电子性质修饰；
2）由铂-镍纳米颗粒堆叠而实现的活性表面区域的增加。
本实验利用日本advance riko公司的apd电弧等离子体沉积系统完成。
参考文献：
[1]n. todoroki, et al., pt−ni nanoparticle-stacking thin film: highly active electrocatalysts for oxygen reduction reaction. acs catal., 2015, 5, 2209-2212.
详情请点击：双电弧等离子体源共沉积制备新型铂镍催化剂
■电弧等离子体源与分子束外延技术的集成
在*电子与光电子器件领域， c族-ⅳ族半导体材料是颇受关注的一种重要材料。特别地，碳含量在4%~11%的ge1-xcx外延层被认为具有直接带隙结构、且能够补偿由硅衬底晶格失配引起的固有应变。然而，目前尚未获知稳定的gec相晶体材料，而且体材ge中极低的c原子溶解度（平衡态下为108atoms/cm3）也阻碍了获取结晶良好且含碳量高的gec外延层。目前已有部分利用mbe或cvd生长gec外延层的报道，相关研究人员目前的研究重点之一是提升外延层ge1-xcx中替位c含量x的数值。近期，有研究人员利用超高真空考夫曼型宽离子束源，在200 ℃~500 ℃的生长温度下，在ge（001）衬底上获得了x≤2%的ge1-xcx外延层。
在m. okinaka等人[1]的工作中，为了进一步增强非平衡生长，采用了电弧等离子体枪作为新型c源，在si（001）衬底上利用mbe制备了gec外延层。结果表明，对于在硅表面利用mbe生长gec外延层来说，电弧等离子体枪的使用以及非平衡生长的增强，对于外延层中c的掺入以及抑制外延层中c团簇的形成具有重要作用。
以电弧等离子体作为碳源在si（001）衬底表面生长的碳膜的afm图像，薄膜表面非常平整，粗糙度为纳米级
参考文献：
[1] m. okinaka, et al., mbe growth mode and c incorporation of gec epilayers on si(001) substrates using an arc plasma gun as a novel c source. j. cryst. growth, 2003, 249, 78-86.
[2] g. yu, et al., ion velocities in vacuum arc plasmas. j. appl. phys., 2000, 88, 5618.
详情请点击：电弧等离子体沉积技术的特殊应用案例——电弧等离子体源与分子束外延技术的集成
【产品详情】
1.电弧等离子体沉积系统