mos型集成门电路是单极型晶体管。绝缘栅场效应管也就是金属－氧化物－半导体（mos）场效应管。mos场效应管具有制造工艺简单，集成度高，功耗低，抗干扰能力强等优点，主要缺点是工作速度较低。mos场效应管有n沟道和p沟道两类，每一类又有增强型和耗尽型之分。在本节集成门电路中用的都是增强型场效应管。
1. 下图nmos“非”门电路，
称为驱动管；的栅极与漏极相联，作为漏极负载电阻，称为负载管。驱动管的跨导较大，一般位100－200ua/v;负载管的跨导较小，一般为5－10 ua/v。因此的导通电阻远比的大。
“非”门电路也称为反相器。
当输入端a为“1”时，t1的栅－源电压ugs大于它的开启电压，t1导通。由于t2的栅极与漏极相联，并接到正电源udd上，其栅－源电压也大于开启电压，t2总是处于导通状态。而t1的导通电阻远比t2的小，其管压降很小，故输出端y为“0”。
当输入端a为“0”时，t1的栅－源电压低于它的开启电压，t1截止，输出端y为“1”。
2．下图是nmos“与非”门电路
和两个驱动管串联，然后再与负载管串联。工作原理：当a，b两个输入端全为“1”时，和两管导通，它们的导通电阻都比负载管的低得多，因此这两个驱动管的管压降都很小，输出端y为“0”。当输入端有一个或全为“0”时，则串联的驱动管截止，输出端y为“1”。
3. 下图为nmos“或非”门电路，
和两个驱动管并联，然后再与负载管串联。工作原理：当a，b两个输入端全为“1”或其中一个为“1”时，则相应的驱动管导通，输出端y为“0”。只有当输入端a,b全为“0”时，和都截止，输出端y才为“1”。这种“或非”逻辑关系可用下式表示： y=