硅漂移探测器（silicondriftdetector，简称sdd）是半导体探测器的一种；
用来探测x射线，广泛应用在能量色散型x射线荧光光谱仪（xrf）或者x射线能谱仪（eds）上。
xrf合金分析仪使用了大面积的sdd探测器之后，分析速度快速的提高2倍，使得分析数据的稳定性更强。
sdd探测器的突出特点有：
1.高计数率。
由于收集阳极的电容极低，相比通常的硅pin器件，sdd具有更短的上升时间，因而特别适合在高计数率的情况下工作。
2.高能量分辨率。
sdd的阳极面积小于通常硅pin器件，由于电容的减小，在收集等量电荷的情况下具有更高的电压，提高了其能量分辨率。
3.可在常温下工作。
sdd的电容和漏电流要比一般探测器小两个数量级以上，通常把场效应管（fet）和peltier效应器件都整合到一起；
这样仪器在常温下就能满足sdd的制冷需求，特别适用于便携式设备的现场使用。
根据国家地质实验测试中心的报告，sdd探测器从1962年以si探测器问世以来，si-pin、高纯及四叶花瓣型ge探测器、si漂移、sdd等不同性能的探测器，sdd探测器在计算数与制造工艺的稳定性方面取得突破，从而替代复杂的波长色散x射线光谱仪的si-pin探测器。