1，储存器有哪两种2，芯片储存器有哪些3，储存器有哪几类1，储存器有哪两种
随机存储器ram和只读存储器rom按存储介质分半导体存储器：用半导体器件组成的存储器。磁表面存储器：用磁性材料做成的存储器。按存储方式分随机存储器：任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置无关。顺序存储器：只能按某种顺序来存取，存取时间和存储单元的物理位置有关。按存储器的读写功能分只读存储器(rom)：存储的内容是固定不变的，只能读出而不能写入的半导体存储器。随机读写存储器(ram)：既能读出又能写入的半导体存储器。按信息的可保存性分非永久记忆的存储器：断电后信息即消失的存储器。永久记忆性存储器：断电后仍能保存信息的存储器。rom ram有硬件的！优盘～移动硬盘等！软件有网盘等随机存储器ram和只读存储器rom储存卡，优盘
2，芯片储存器有哪些
半导体存储器：用半导体器件组成的存储器。 磁表面存储器：用磁性材料做成的存储器。 按存储方式分 随机存储器：任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置无关。 顺序存储器：只能按某种顺序来存取，存取时间和存储单元的物理位置有关。 按存储器的读写功能分 只读存储器(rom)：存储的内容是固定不变的，只能读出而不能写入的半导体存储器。 随机读写存储器(ram)：既能读出又能写入的半导体存储器。 按信息的可保存性分 非永久记忆的存储器：断电后信息即消失的存储器。 永久记忆性存储器：断电后仍能保存信息的存储器。 按存储器用途分 根据存储器在计算机系统中所起的作用，可分为主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器、控制存储器等。 为了解决对存储器要求容量大，速度快，成本低三者之间的矛盾，目前通常采用多级存储器体系结构，即使用高速缓冲存储器、主存储器和外存储器。 初中的信息题，应该是按照存储器的读写功能分类。 只读存储器(rom)：存储的内容是固定不变的，只能读出而不能写入的半导体存储器。 随机读写存储器(ram)：既能读出又能写入的半导体存储器。对ram的寻址是以数据单元为单位的，不是以位为单位的，现在还没有以位为单位进行寻址的ram。从上面的分析看，芯片是一个8位数据位宽的ram，那么可寻址的最小单位就是1个字节（8位），那么这个总容量为1mbits的ram内部一共有1mbit/8bit=128k个数据单元，要对这128k个单元进行寻址，一共需要17根地址线，至于17这个数字是怎么来的，其实就是2的17次方等于128k。
3，储存器有哪几类
一、ram(random access memory，随机存取存储器)
ram的特点是：电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。它的工作需要由持续的电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。
一、ram(random access memory，随机存取存储器)
ram的特点是：电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。它的工作需要由持续的电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。
根据组成元件的不同，ram内存又分为以下十八种：
01.dram（dynamic ram，动态随机存取存储器）
这是最普通的ram，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，dram将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。
02.sram（static ram，静态随机存取存储器）
静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。
03.vram（video ram，视频内存）
它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。多用于高级显卡中的高档内存。
04.fpm dram（fast page mode dram，快速页切换模式动态随机存取存储器）
改良版的dram，大多数为72pin或30pin的模块。传统的dram在存取一个bit的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。而frm dram在触发了行地址后，如果cpu需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。fpm将记忆体内部隔成许多页数pages，从512b到数kb不等，在读取一连续区域内的数据时，就可以通过快速页切换模式来直接读取各page内的资料，从而大大提高读取速度。在96年以前，在486时代和pentium时代的初期， fpm dram被大量使用。
05.edo dram（extended data out dram，延伸数据输出动态随机存取存储器）
这是继fpm之后出现的一种存储器，一般为72pin、168pin的模块。它不需要像fpm dram那样在存取每一bit 数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间，然后才能读写有效的数据，而下一个bit的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。因此它可以大大缩短等待输出地址的时间，其存取速度一般比fpm模式快15%左右。它一般应用于中档以下的pentium主板标准内存，后期的486系统开始支持edo dram，到96年后期，edo dram开始执行。。
06.bedo dram（burst extended data out dram，爆发式延伸数据输出动态随机存取存储器）
这是改良型的edo dram，是由美光公司提出的，它在芯片上增加了一个地址计数器来追踪下一个地址。它是突发式的读取方式，也就是当一个数据地址被送出后，剩下的三个数据每一个都只需要一个周期就能读取，因此一次可以存取多组数据，速度比edo dram快。但支持bedo dram内存的主板可谓少之又少，只有极少几款提供支持（如via apollo vp2），因此很快就被dram取代了。
07.mdram（multi-bank dram，多插槽动态随机存取存储器）
mosys公司提出的一种内存规格，其内部分成数个类别不同的小储存库 (bank)，也即由数个属立的小单位矩阵所构成，每个储存库之间以高于外部的资料速度相互连接，一般应用于高速显示卡或加速卡中，也有少数主机板用于l2高速缓存中。
08.wram（window ram，窗口随机存取存储器）
韩国samsung公司开发的内存模式，是vram内存的改良版，不同之处是它的控制线路有一、二十组的输入/输出控制器，并采用edo的资料存取模式,因此速度相对较快，另外还提供了区块搬移功能（bitblt），可应用于专业绘图工作上。
09.rdram（rambus dram，高频动态随机存取存储器）
rambus公司独立设计完成的一种内存模式，速度一般可以达到500~530mb/s，是dram的10倍以上。但使用该内存后内存控制器需要作相当大的改变，因此它们一般应用于专业的图形加速适配卡或者电视游戏机的视频内存中。
10.sdram（synchronous dram，同步动态随机存取存储器）
这是一种与cpu实现外频clock同步的内存模式，一般都采用168pin的内存模组，工作电压为3.3v。 所谓clock同步是指内存能够与cpu同步存取资料，这样可以取消等待周期，减少数据传输的延迟，因此可提升计算机的性能和效率。
11.sgram（synchronous graphics ram，同步绘图随机存取存储器）
sdram的改良版，它以区块block，即每32bit为基本存取单位，个别地取回或修改存取的资料，减少内存整体读写的次数，另外还针对绘图需要而增加了绘图控制器，并提供区块搬移功能（bitblt），效率明显高于sdram。
12.sb sram（synchronous burst sram，同步爆发式静态随机存取存储器）
一般的sram是非同步的，为了适应cpu越来越快的速度，需要使它的工作时脉变得与系统同步，这就是sb sram产生的原因。
13.pb sram（pipeline burst sram，管线爆发式静态随机存取存储器）
cpu外频速度的迅猛提升对与其相搭配的内存提出了更高的要求，管线爆发式sram取代同步爆发式sram成为必然的选择，因为它可以有效地延长存取时脉，从而有效提高访问速度。
14.ddr sdram（double data rate二倍速率同步动态随机存取存储器）
作为sdram的换代产品，它具有两大特点：其一，速度比sdram有一倍的提高；其二，采用了dll（delay locked loop：延时锁定回路）提供一个数据滤波信号。这是目前内存市场上的主流模式。
15.sldram （synchronize link，同步链环动态随机存取存储器）
这是一种扩展型sdram结构内存，在增加了更先进同步电路的同时，还改进了逻辑控制电路，不过由于技术显