等离子清洗机plasma等离子体处理提高sio2薄膜驻极体的稳定性：
利用等离子清洗机plasma等离子体对硅衬底上热生长sio2薄膜进行表面处理，提高二氧化硅薄膜驻极体电荷的储存稳定性。
有机聚合物驻极体材料具有良好的电荷储存稳定性，目前市场上销售的驻极体传感器绝大多数都是有机聚合物驻极体薄膜传感器。虽然这种传感器具有长寿命、薄膜型和低成本等优点，但都属大体积的分立器件，不能满足驻极体声传感器小型化、集成化的要求。
近年来发现二氧化硅(sio2)薄膜具有较优良的驻极化性能，鉴于它在硅集成电路工艺中的重要地位，人们希望sio2薄膜能成为制备微型集成声传感器的敏感薄膜材料。
但sio2薄膜的驻极化电荷在较高温度下很容易丢失，且si02薄膜具有较好的亲水性，使其表面电导随环境湿度的上升而急剧增大，导致储存在sio2薄膜表面和近表面的驻极化电荷很容易衰减，这些都制约了微型集成声传感器的发展。
为了解决这一难题，许多学者花费了近10年的时间，研究了两种提高二氧化硅薄膜驻极体储存电荷稳定性的方法。
一是在20世纪90年代初，由荷兰学者提出的用化学修正方法，即在二氧化硅薄膜表面均匀涂布集成电路工艺中常用的表面疏水剂(hmds) ，使sio2表面从亲水变成疏水。经疏水处理的二氧化硅薄膜表现出比较好的电荷稳定性。
二是20世纪90年代中由德国学者建议的物理方法 ，在sio2表面沉积一层疏水的氮化硅薄膜，以屏蔽水分子对电荷层的侵蚀。不过，由于上述方法都不是改变二氧化硅薄膜本身的电荷储存性能，似乎对研制sio2薄膜驻极体集成声传感器的贡献不大。至今，虽然研究人员和工程师们做了许多工作，但尚未制成真正的驻极体集成声传感器。
20世纪末发展起来的等离子清洗机plasma等离子体源离子技术是将样品浸没在等离子体中的离子注入。在等离子体中的正离子对等离子体系统中的物体起注入、溅射的作用。离子束技术是集成电路工艺中常用的高精度掺杂手段。同时，不同能量、剂量，不同种类的离子注入，也可改变材料的表面特性，如提高表面的抗腐蚀性、抗氧化性、抗磨损特性等。
现在有了一种新的快捷、方便的物理处理方法，即利用等离子清洗机plasma清洗对sio2薄膜作适当的处理，使sio2薄膜在恒压电晕极化后表现出良好的电荷存储稳定性。用与集成电路工艺兼容的简单物理方法，使热生长二氧化硅表面具有疏水性，或在其近表面引入电荷，达到有效提高驻极化电荷稳定性的目的，为集成微音器的制备提供工艺基础。
用等等离子清洗机plasma对sio2/si薄膜样品作物理处理，可以有效地提高其驻极化电荷的存储稳定性。等离子体的种类不同，效果明显不同；同一种等离子体处理的时间不同，对电荷存储性能改善的程度不同。氩等离子体处理比氮或氧等离子体处理更有利于提高驻极体的电荷存储性能。氩等离子体处理对热生长二氧化硅薄膜驻极体的充电电荷有很好的存储稳定性，达到化学表面修正的同等效果。
氩等离子清洗机plasma清洗处理面的亲水性，有效地阻止了因水汽在表面附着引起表面电导增大造成驻极化电荷的流失。另外，等离子体轰击在薄膜的近表面引入了电荷陷阱，使俘获的驻极化电荷能较稳定地保存。