半导体管特性图示仪 型号：qt-2b
*qt-2b半导体管特性图示仪可根据需要测量半导体二**管、三**管的低频直流参数，**大集电**电流可达50a，基本满足功率500w以下的半导体管的测试。*本仪器还附有高压的测试装置，可对5000v以下的半导体管进行击穿电压及反向漏电流测试，其测试电流**高灵敏度达到0.5ua/度。*本仪器所提供的基**阶梯信号还具有脉冲阶梯输出，因此可扩大测量范围及对二次击穿特性的测量。*本仪器带阶梯偏置电压(△vb)，-6v～+6v连续可调。特别适宜大功率vmos管测试。1.集电**电流偏转系数a)集电**电流范围(ic)：1μa/度～5a/度。按1、2、5进制分21档级，各档误差不大于3％。b)二**管电流范围(id)：1μa/度～500μa/度。1、2、5进制分9档，各档误差不大于3％。c)集电**电流及二**管电流倍率×0.5，误差不大于10％。d)基**电流或基**源电压0.1v/度，误差不大于3％。2.集电**电压偏转系数a)集电**电压范围(uc)：10mv/度～50v/度。按1、2、5进制分21档级，各档误差不大于3％。b)二**管电压范围(ud)：100v/度～500v/度。按1、2、5进制分3档级，各档误差不大于10％。c)基**电压范围(ube)：10mv/度～1v/度按1、2、5进制分7档级，各档误差不大于3％。d)基**电流或基**源电压:：0.05v/度，误差不大于3％。3.基**阶梯信号a)阶梯电流范围(ib)：10ua/度～200ma/度。按1、2、5进制分17档级，各档误差不大于5％。b)阶梯电压范围(ub)：50mv/度～1v/度。按1、2、5进制分5档级，各档误差不大于5％。c)串联电阻：0ω、10kω、100kω，各档误差不大于10％。d)阶梯波形：分正常（100%）及脉冲二档。脉冲阶梯占空比调节范围为10～40%。e)每簇级数：0～10级，连续可调。f)阶梯偏置电压(△vb)：-6v～+6v，连续可调。g)阶梯作用：分重复、关、单次三档级。h)阶梯输入：分正常、零电流、零电压三档级。i)阶梯**性：分正、负二档。4.集电**扫描电压a)输出电压与档级：0～10v正或负连续可调0～50v正或负连续可调0～50v正或负连续可调0～100v正或负连续可调0～500v正或负连续可调b)输出电流容量：0～10v50a（脉冲阶梯工作状态时）0～10v20a（平均值）0～50v10a（平均值）0～100v5a（平均值）0～500v0.5a（平均值）c)功耗限制电阻：0～500kω按1、2、5进制分20档级，各档误差不大于10％。d)整流方式：全波e)输出**性：＋，－f)集电**容性电流；平衡后不超过2ua（10v档）g)集电**漏电流；平衡后不超过2ua（10v档）5.二**管测试装置a)输出电压：0～5000v正向连续可调b)输出电流容量：**大为5mac)整流方式：半波6.其他a)适配器高压测试座、三**管测试座、功率三**管测试座b)重量约30kg。c)外形尺寸300mm×408mm×520mm（w×h×d）。d)功耗：非测试状态时：约80va；**大功率时：约300va。e)输入电压：220v±10％；f)频率：50hz±5％。g)示波管：15sj118-dc有效工作面8×10cm。h)电磁兼容性传导干扰应符合gb/t6833.9中第1章的要求。辐射干扰应符合gb/t6833.10中第1章的要求。环境应符合gb/t6587.1中ⅱ级仪器的规定，运输试验按2级