上海棱光双光束紫外分光光度计-样品浓度测量
通过对样品试验的分析，认为这是因为光刻胶在icp粒子的轰击下长时间逐渐碳化,不能继续阻挡粒子的轰击，从而失去了掩模的作用。在icp蚀刻过程中，由于槽的狭窄，化学反应过程的产物不易逸出，导致这部分的蚀刻速度比光栅脊部慢，进而使光栅的蚀刻深度降低。
与光刻胶面罩相比，sio2 口罩具有较强的抗腐蚀能力。对于100 nm厚的sio2掩模，抗蚀刻时间增加到80秒，相应的光栅蚀刻深度为198 nm。然而，当蚀刻时间超过80秒时，sio2掩码就不能继续扮演icp干燥蚀刻掩码的角色,导致光栅蚀刻深度逐渐降低。耐干性好。采用50nm粗ni作为icp干燥蚀刻掩模，随着蚀刻时间从50秒增加到140秒,光栅蚀刻深度没有呈现下降趋势,表明ni具有较强的抗蚀刻能力。当蚀刻时间为140秒时，光栅的蚀刻深度达到490nm。与以光刻胶为掩模、以sio2为掩模的样品相比，蚀刻深度分别增加了305 .4%和48.9%，上海棱光技术有限公司当用不同的材料作为光栅蚀刻的掩模时，光栅的蚀刻速率相似，光栅的周期和作用周期的差异不影响蚀刻率。