1，三星nvme ssd 960 pro的接口是什么2，各位机友 三星的固态硬盘 需要升级固件吗3，三星960pro 1t固态硬盘当系统盘好呢还是当4，想买一个固态硬盘三星850 evo系列 120g怎么样5，三星固态硬盘evo和pro的区别1，三星nvme ssd 960 pro的接口是什么 三星nvme ssd 960 pro的接口依旧是标准的m.2接口，2280型号
2，各位机友 三星的固态硬盘 需要升级固件吗 要看850 pro固态硬盘具体用途，如果是安装在ps4、xbox one上的，不需要升级固件(也不能升级固件)。应该不用吧。
3，三星960pro 1t固态硬盘当系统盘好呢还是当 既然是1tb的ssd可以分两个区当储存盘使了。也可以将系统装在其中一个区中,两一个区当逻辑分区那么大容量肯定直接做主盘装系统的。驱动精灵那种玩意儿能装nvme驱动也是没谁了...100g不用分那么大，过于浪费了，不过三星的好处在于属于m.2里最早解决了驱动问题的，装7其实问题不大，找个提前注入驱动的镜像安装，或者根据相应教程导入驱动就可以，都有很多就不搬运了。nvme固态没有各家的驱动优化性能会打折扣的
4，想买一个固态硬盘三星850 evo系列 120g怎么样 evo建议不要选了，芯片是tlc的，卖价却和别家的mlc差不多，除了跑分好，用久了掉速明显，三星还是850pro系列靠谱，不过价格太高。120-128g的ssd推荐intel 520（如果用在台式机上，笔记本上用它耗电有点大），性价比好的是浦科特m6s，再有就是东芝q系列和ocz arc100，镁光的性价比也好，就是国内售后有点麻烦，intel 530虽然是后出的，但性能没520好，但功耗比520低，适合笔记本用。1.优点：一直都是用机械硬盘的，速度还过得去，对于固态硬盘还是头次用通过朋友的推荐果断入手了三星850evo固态，装机点亮，装个win7系统3分钟装好，头次开机晕了神啊秒开，关机再开也是秒开，简直不敢相信，通过360提示开机时间是3秒，打开软件，游戏都是鼠标到位就直开，标标到位，是普通硬盘没的比的，这个用ufo的速度来形容还差一大截，顶的上光速了。2.缺点：价钱有点高，120g的固态是2t硬盘的价钱3.总结：对于有追求的人值得选择三星的非常好，但性价比就差了，有钱就买他吧是我推荐的好盘之一。另外还有一些型号可以考虑。市场上性价比和口碑最好的有以下几款型号：浦科特m6s、闪迪至尊高速系列、三星840和850evo、镁光m550、东芝q系列。120或128g的样子都是400多。如果需要性能比较高的，推荐三星840pro或850pro，以及浦科特的m5p和m6p。如果需要兼容性好和寿命长的，那就选intel和金士顿的。 5，三星固态硬盘evo和pro的区别 这个就简单啦,虽然使用上感觉的差距不是很明显,不过,就好像普通硬盘与服务器硬盘的对比:一个是普通产品,一个是高端旗舰型号!三星固态硬盘pro和evo简单来说定位有所区别，pro定位高端旗舰型号，evo定位亲民大众型号。我从官方客服得到答案是，evo用的是闪存颗粒是samsung v-nand 3bit mlc，pro用的闪存颗粒是samsung v-nand 2bit mlc，而实际samsung v-nand 3bit mlc就是3d tlc颗粒。所以可以总结为：pro主要采用的是可靠性和性能非常出色的mlc nand颗粒，evo而采用的是性价比且可靠性也非常高的3d tlc nand颗粒。到底啥是mlc啥是tlc，大家可能有些晕，我先给大家简单普及下。颗粒的传统分类：slc、mlc、tlc简单来说，nand闪存中存储的数据是以电荷的方式存储在每个nand存储单元内的，slc、mlc及tlc就是存储的位数不同。slc（single-level cell）单层式存储每个存储单元仅能储存1bit数据，同样，mlc（multi-level cell）可储存2bit数据，tlc(trinary-level)可储存3bit数据。一个存储单元上，一次存储的位数越多，该单元拥有的容量就越大，这样能节约闪存的成本，提高nand的生产量。mlc的优势在于，tlc需要识别8种信号，而mlc只需要识别4种信号，可以花更少时间来读取数据。因此，3d nand出现之前，mlc在性能和可靠性上，是高于tlc的。但是，随着三星的3d tlc的出现，tlc与mlc的性能和可靠性逐渐拉小差距。3d nand闪存：三星的杀手锏级产品刚介绍的nand闪存不仅有slc、mlc和tlc类型之分，为了进一步提高容量、降低成本，nand的制程工艺也在不断进步，从早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm。虽然先进工艺虽然带来了更大的容量，但是nand闪存的制程工艺是双刃剑，容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降，因为工艺越先进，nand的硅基越薄，可靠性也越差，厂商就需要采取额外的手段来弥补，但这又会提高成本，以致于达到某个点之后制程工艺已经无法带来优势了。相比之下，3d nand解决问题的思路就不一样了，想要提高nand的容量、降低成本，厂商不需要费劲心思去提高制程工艺了，转而堆叠更多的层数就可以了，这样一来3d nand闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了。由于已经向垂直方向扩展nand密度，那就没有继续缩小晶体管的压力了，所以三星可以使用相对更旧的工艺来生产3d nand闪存，做成3d v-nand mlc或者3d v-nand tlc。现在三星已经就这样做了，pro是3d mlc，evo是3d tlc。使用旧工艺的好处就是p/e擦写次数大幅提升，而且电荷干扰的情况也因为使用旧工艺而大幅减少。三星闪存颗粒过去房子基本都是一层平房，要想在固定大小的房子里隔出更多的房间，就需要压缩每个房间的空间。随着租客越来越多，房间空间越来越小了，只能放一张床了，再继续压缩的话，人都住不了。怎么办？聪明的建筑师想到了可以在房子上再盖房子，拓展垂直空间。现在好了，有人可以搬到楼上去，大家再也不用挤在那么小的房间。3d nand闪存思想就是这样的，不是一味的在一个平面提升闪存密度，而是堆积多个平面，达到提升闪存容量的目的。将平房增加楼层盖成高楼，单位面积内可容纳的人就会更多，这点是同理的。由此我们也可以得出结论3d mlc>3d tlc>2d mlc>2d tlc，现在不管购买三星pro还是evo都不用过分考虑ssd闪存寿命问题，可能电脑主机完全淘汰了ssd还健在，而从正常使用考虑三星evo采用3d tlc技术也足以应对日常数据处理，追求更高性能的用户则可以考虑三星pro系列产品，性能更为出色！以三星固态硬盘840 evo和840 pro区别为例，如下： 两款固态硬盘的nand flash闪存芯片不同，840 evo采用的闪存芯片为tlc，840 pro采用的闪存芯片为mlc，后者无论从读写速度与使用寿命上都强于840 evo。