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可控硅可靠性测试及测试标准-高压加速寿命试验/高压蒸煮(二)

二、高压加速寿命试验/高压蒸煮(pct/autoclave)
目的：检验器件抵抗水汽侵入及腐蚀的能力，不包括外部腐蚀。
条件： 121℃/99%rh，205kpa（2atm），96hrs。
失效机理：湿气通过塑封体及各界面被吸入并到达芯片表面,在键合区形成原电池而加速铝的腐蚀。另外，水汽带入的杂质在器件表面形成漏电通道。试验后因管脚腐蚀引起的开路或塑封体表面漏电等失效不计。
试验标准： jesd22-a102c
关键词：芯片 电池
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