crf等离子体表面处理器充放电电压对ch4临h2转化反应的直接影响：
伴随着充放电电压的增大ch4的转化率和c2烃收率呈持续上升趋势，c2烃选择性先增大后减小，在大气plasma充放电电压为16kv时c2烃选择性大。据文献报道，低温等离子体表面处理器等离子体条件下，ch活性物种的发射强度变化直接受工作气压和充放电参数的直接影响。
由ch活性物种的高低可探测ch4在等离子体中裂化的程度上，因为同一条谱线的强度和该成分的粒子密度成正比，所以通过谱线的相对强度随各工艺参数的变化可推测该粒子数随相应工艺参数的变化。提高充放电电压，等离子体表面处理器ch活性物种的发射强度随充放电电压的增加而增强。
分析其原因是在气体流速不变的条件下，输入电压低时电子受电场加速获得的能量低，同时低能态下总的碰撞橫截面积也较低，ch4与高能电子的碰撞概率小，从而导致生成的活性物种少。伴随着充放电电压的升高，电离率和电子密度增加，同时高能电子与ch4碰撞横截面也随之增大，意味着碰撞概率加大，生成的ch活性物种增多。同时也注意到，在实验过程中，伴随着电压的增加，反应器壁上的积碳有所增加。