元器件失效分析方法，这次讲清楚了！
2018年失效分析技术分享活动仪准科技自2012年在北京建立以来一直受到半导体行业内同行们的支持与鼓励这6年来有赞美有夸奖有磕绊也有不足；感谢大家一直以来的包容与支持同行们之间的反馈与意见是我们进步的较大推动力
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器件一旦坏了，千万不要敬而远之，而应该如获至宝。
开车的人都知道，哪里zui能练出驾驶水平？高速公路不行，只有闹市和不良路况才能提高水平。社会的发展就是一个发现问题解决问题的过程，出现问题不可怕，但频繁出现同一类问题是非常可怕的。
失效分析基本概念
定义：对失效电子元器件进行诊断过程。
1、进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。
2、失效分析的目的是确定失效模式和失效机理，提出纠正措施，防止这种失效模式和失效机理的重复出现。
3、失效模式是指观察到的失效现象、失效形式，如开路、短路、参数漂移、gong能失效等。
4、失效机理是指失效的物理化学过程，如疲劳、腐蚀和过应力等。
失效分析的一般程序
1、收集现场场数据
2、电测并确定失效模式
3、非破坏检查
4、打开封装
5、镜验
6、通电并进行失效定位
7、对失效部位进行物理、化学分析，确定失效机理。
8、综合分析，确定失效原因，提出纠正措施。
1、收集现场数据：
应力类型试验方法可能出现的主要失效模式
电应力静电、过电、噪声mos器件的栅击穿、双极型器件的pn结击穿、gong率晶体管的二次击穿、cmos电路的闩锁效应
热应力高温储存金属－半导体接触的al－si互溶，欧姆接触退化，pn结漏电、au-al键合失效
低温应力低温储存芯片断裂
低温电应力低温工作热载流子注入
高低温应力高低温循环芯片断裂、芯片粘接失效
热电应力高温工作金属电迁移、欧姆接触退化
机械应力振动、冲击、加速度芯片断裂、引线断裂
辐射应力x射线辐射、中子辐射电参数变化、软错误、cmos电路的闩锁效应
气候应力高湿、盐雾外引线腐蚀、金属化腐蚀、电参数漂移