自2010年以来，潜在的诱导退化被认为是导致模块故障的主要原因之一。利用弗劳恩霍夫csp开发的新技术，以及弗莱贝格仪器公司的台式工具pidcon，可以对太阳能电池和微型组件的pid敏感性进行测试，现在已经投入市场。
了解更多关于pid的原因以及如何研究太阳能电池、微型模块和封装材料的敏感性。
pid-s的物理性质
电势诱导退化（pid）是在晶体硅组件中观察到的较高危险的退化现象之一。在了解分流型pid（pid-s）的基本机制方面已经取得了很大进展。
pid-s的物理性质
在现场，模块中的前玻璃表面和太阳能电池之间可能会出现较大的电位，硅太阳能电池的p-n结会发生分流，从而导致电阻和功率输出下降。
以下模型是由[1]提出的：
模块中存在的高场强导致na+漂移通过sinx层。钠离子在sinx/si界面（siox）横向扩散，并装饰了堆叠故障。pn结通过高度装饰的堆积断层的缺陷水平被分流（过程1），另外，由于耗尽区的缺陷状态的重组过程，j02增加（过程2）。请注意，na离子应该是来自si表面而不是玻璃。
因此，模块的易感性主要取决于sinx层以及玻璃和eva箔的电阻率。
参考文献：
[1] v. naumann et al., the role of stacking faults for the formation of shunts during potential induced degradation (pid) of crystalline si solar cells, phys. stat. solidi rrl 7, no. 5 (2013) 315-318