场效应管是一种半导体器件，与第二章介绍的晶体管类似，器件内部也有两个pn结，器件外部也有三个电极（源极s、栅极g和漏极d）。
场效应管按照结构和控制电场的形式，有结型和绝缘栅型两大类型。结型的栅极与硅材料直接接触，控制电场是pn结的内电场；绝缘栅型的栅极与硅材料之间隔有绝缘层（sio2），不直接接触，控制电场是外电压产生的表面电场。
场效应管按照工作方式，有耗尽型和增强型之分。耗尽型：在外加电压为零时，管内有固定的导电沟道，随外加电压的绝对值增大，导电沟道逐渐消失（耗尽）；增强型：在外加电压为零时，管内没有导电沟道，当外加电压的绝对值增大到一定程度后，导电沟道逐渐形成（增强）。
场效应管按照导电沟道的掺杂类型，有n沟道和p沟道。两者的外加电压极性相反。