在半导体行业中，bump、rdl、tsv、wafer合称先进封装的四要素，其中bump起着界面互联和应力缓冲的作用。
bump是一种金属凸点，从倒装焊flipchip出现就开始普遍应用，bump的形状有多种，最常见的为球状和柱状，也有块状等其他形状，下图所示为各种类型的bump。
bump起着界面之间的电气互联和应力缓冲的作用，从bondwire工艺发展到flipchip工艺的过程中，bump起到了至关重要的作用。随着工艺技术的发展，bump的尺寸也变得越来越小,从最初standard flipchip的100um发展到现在最小的5um。
伴随着工艺技术的高速发展，对于bump的量测要求也不断提高，需要把控长宽尺寸，高度均匀性，亚纳米级粗糙度、三维形貌等指标。以粗糙度指标为例，电镀工艺后的cu 凸点表面粗糙并存在一定的高度差，所以键合前需要对其表面进行平坦化处理，如化学机械抛光(cmp)，使得键合时cu 表面能够充分接触，实现原子扩散，由此可见把控bump表面粗糙度是必不可缺的过程。为了贴合工艺制程，积极响应客户bump 计量需求，中图仪器以高精度、多功能合一等优势将自研量测设备推向众多优质半导体客户。boki_1000系统支持键合、减薄、翘曲和切割后的基板，可以为包括切割后、预键合、铜焊盘图案化、铜柱、凸块（bump）、硅通孔（tsv）和再分布层（rdl）在内的特征提供优异的量测能力。
以上为量测bump时的实时图像