恩智浦半导体(纳斯达克代码：nxpi)扩展其丰富的gan和硅横向扩散金属氧化物半导体(si-ldmos)蜂窝基础设施产品组合，推动创新，以紧凑的封装提供行业的性能，助力下一代5g蜂窝网络发展。
5g连接涉及频谱扩展、更高阶位调制、载波聚合、全维波束赋形等关键技术，因此需要扩大技术基础才能支持增强移动宽带连接。根据频谱使用情况和网络占位空间，实施“多输入多输出”(mimo)技术需采用四根(4tx)发射天线到64根甚至更多天线。5g网络的未来将取决于gan和si-ldmos技术，而恩智浦一直身处射频功率放大器开发的前沿。
“恩智浦于1992年推出*ldmos产品，此后25年一直处于。现在，恩智浦依托成功的历史经验，以行业的gan技术巩固了自己的射频，为蜂窝移动应用提供出色的线性效率，”恩智浦*副总裁兼射频功率事业部总经理paul hart表示，“凭借出色的供应链、应用支持和行业内出色的设计专业知识，恩智浦已成为5g解决方案的射频合作伙伴。”
在ims 2018展会上，恩智浦推出全新射频gan宽带功率晶体管，扩展其适用于宏蜂窝和户外小型基站解决方案的airfast第三代si-ldmos产品组合。新产品包括：
·a3g22h400-04s: 这款gan产品非常适合40 w基站，效率高达56.5%，增益为15.4 db覆盖从1800 mhz 到2200 mhz的蜂窝频段。
·a3g35h100-04s：这款gan产品提供43.8%的效率和14 db的增益，可在3.5 ghz下实现16 tx mimo解决方案。
·a3t18h400w23s：这款si-ldmos产品以1.8 ghz的频率*5g时代，doherty效率高达53.4%，增益为17.1 db。
·a3t21h456w23s：这款解决方案覆盖从2.11 ghz到2.2 ghz的全部90 mhz频带，体现了恩智浦si-ldmos产品出色的效率、射频功率和信号带宽性能。
·a3i20d040wn：在恩智浦集成式超宽带ldmos产品系列中，这款解决方案提供46.5 dbm的峰值功率、365 mhz的带宽以及32 db的ab级性能增益，在10 db obo时的效率达18%。
·a2i09vd030n：这款产品具有46 dbm的峰值功率，ab级性能增益为34.5 db，在10 db obo时的效率为20%。这款产品的射频带宽为575 mhz至960 mhz。
恩智浦提供丰富多样的射频功率技术产品，涵盖gan、硅-ldmos、sige和gaas，支持覆盖频率和功率频谱和多种集成度的5g产品。恩智浦不仅提供广泛的选择、构建数字计算产品，还支持基带处理应用，是端到端5g解决方案独特的供应商。