ht-m72-n15no-dc10-30v接近开关以在不与目标物实际接触的情况下检测靠近传感器的金属目标物。即使在有水或油喷溅的苛刻环境中也能稳定检测。由频振荡、检波、放大、触发及输出电路等组成。振荡器在传感器检测面产生一个交变电磁场，当金属物体接近传感器检测面时，金属中产生的涡流吸收了振荡器的能量，使振荡减弱以至停振。振荡器的振荡及停振这二种状态，转换为电信号通过整形放大转换成二进制的开关信号，经功率放大后输出。
接近开关ht-m72-n15no它也有一个振荡电路，电路中因感应电流在目标物内流动引起的能量损失影响到振荡频率。目标物接近传感器时，不论目标物金属种类如何，振荡频率都会提。传感器检测到这个变化并输出检测信号。
霍尔接近开关ht-m72-n15no是霍尔元件与电子线路一体化的产品，它是由霍尔元件、放大器、温度补偿电路和稳压电路利用集成电路工艺技术制成的。它能感知一切与磁有关的物理量，又能输出相关的电控信息，所以霍尔集成电路既是一种集成电路，又是一种磁敏传感器。
产品特点：
1、 响应频率
2、重复定位精度
3、 输出波形纯净、性能稳定
4、带工作状态指示
5、稳定、可以在油污、粉尘、振动和温差大的恶劣环境中可靠工作
6、 可以设置多重保护功能：反向极性保护，浪涌电压保护和过热保
7、 多种工作模式：常开、常闭、自锁、npn输出、pnp输出
电路的原理
当将一块通电的半导体薄片垂直置于磁场中时，薄片两侧由此会产生电位差，此现象称为霍尔效应。此电位差称为霍尔电势，电势的大小e=kib/d，式中k是霍尔系数，d为薄片的厚度，i为电流，b为磁感应强度。图1示出霍尔效应的原理：在三维空间内，霍尔半导体平板在xoy平面内，它与磁场方向垂直，磁场指向y轴的方向，沿x轴方向通以电流i，由于运动的电荷与磁场的相互作用，结果在z轴方向上产生了霍尔电势e，一般其值可达几十毫伏。为此，将霍尔元件与电子线路集成在一块约2mm*2mm的硅基片上，就做成了温度稳定性好、可靠性的霍尔集成电路。
电路结构分析
霍尔集成电路按输出方式可分为线性型和开关型，若按集成电路内部的有源器件可分为双极型和mos型。图2、图3分别示出了一种双极型霍尔集成电路内部的原理结构和逻辑结构，图2为开关型的，图3为线性型的。
在图2中ic内通过霍尔元件h的磁性检测反映为低电平的输出。v1、v2组成差分放大器，它将霍尔电势放大，其放大倍数约几十倍；v3、v4组成施密特触发器，它将放大的霍尔电势整形为矩形脉冲；v5、v6进一步对矩形脉冲缓冲放大；v7、v8为开路集电极输出管。图2a中有两个输出端，这里之所以采用集电极开路输出结构，是因为它可以有较大的负载能力，且易于与不同类型的电路接口，但亦有部分霍尔集成电路采用发射极开路输出形式